公开(公告)号：CN103045926A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210527903.6

申请日：2012-12-10

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 杨滨 ,  卢毅 ,  张磊 ,  王西涛

IPC: C22C29/18 ,  C22C1/02

Abstract: 本发明提供了一种TiB2/Si-Al复合材料的制备方法，属于电子封装材料制备技术领域。工艺过程包括配制混合盐、熔炼（60~70）wt%Si-Al合金、熔铸-原位合成TiB2颗粒、喷射沉积成形TiB2/Si-Al复合材料和TiB2/Si-Al复合材料热等静压五个阶段。本发明在不影响Si-Al合金的热膨胀系数、热导率和密度的前提下，有效地细化初晶硅尺寸并解决了其在Si-Al合金两相区加热保温时粗化的问题。该复合材料广泛适用于电讯、航空、航天、国防和其它相关工业电子元器件所需的新型封装或散热材料。

公开(公告)号：CN103045926B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201210527903.6

申请日：2012-12-10

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 杨滨 ,  卢毅 ,  张磊 ,  王西涛

IPC: C22C29/18 ,  C22C1/02

Abstract: 本发明提供了一种TiB2/Si-Al复合材料的制备方法，属于电子封装材料制备技术领域。工艺过程包括配制混合盐、熔炼（60~70）wt%Si-Al合金、熔铸-原位合成TiB2颗粒、喷射沉积成形TiB2/Si-Al复合材料和TiB2/Si-Al复合材料热等静压五个阶段。本发明在不影响Si-Al合金的热膨胀系数、热导率和密度的前提下，有效地细化初晶硅尺寸并解决了其在Si-Al合金两相区加热保温时粗化的问题。该复合材料广泛适用于电讯、航空、航天、国防和其它相关工业电子元器件所需的新型封装或散热材料。