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公开(公告)号：CN110358229A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910684683.X
申请日：2019-07-26
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于储能材料技术领域，涉及一种包含正交分布一维纳米填料的电介质薄膜及制备方法。复合电介质薄膜材料由正交分布的一维纳米填料和聚合物基体复合而成，工艺为：采用水热法制备垂直于薄膜面内方向排列的一维纳米填料，即垂直填料；采用静电纺丝法制备平行于薄膜面内方向排列的一维纳米填料，即平行填料。采用流延法将一维纳米填料和聚合物基体进行复合，即得到厚度为10-20µm的包含正交分布一维纳米填料的复合电介质薄膜。本发明设计了正交分布的一维纳米填料结构，采用了水热法、静电纺丝法和流延法进行填料和聚合物基体的复合，实现了包含正交分布一维纳米填料的复合电介质材料的制备，该制备方法具有易于操作、成本低廉等优点。
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