公开(公告)号：CN114525423B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210081020.0

申请日：2022-01-24

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 刘晓君 ,  刘丽华 ,  张伟 ,  刘培珠 ,  李阳

IPC: B22F3/105 ,  C22C1/04 ,  C22C30/00

Abstract: 一种第VIII类Eu‑Ga‑Ge笼状化合物的简易制备方法，属于材料制备领域。该方法按照预合成的Eu‑Ga‑Ge笼状化合物的分子式，以高纯单质元素为原料，在Ar气保护下于电弧炉内熔炼(ARC)；然后将所得合金敲碎，于研钵中充分研磨；再根据放电等离子烧结(SPS)系统模具的尺寸和样品的密度，选取适量粉末进行SPS烧结；通过设定合适的烧结温度、压强及保温时间使第I类Eu‑Ga‑Ge变成第VIII类Eu‑Ga‑Ge笼状化合物。本方法的优点在于：SPS烧结简单易操作，可以多维度调节控制条件，通过设定合适温度、压强、保温时间就能获得想要的结果；同时SPS烧结后的样品是规则致密的，便于物性测量。该制备工艺简洁，耗时短，耗能少,一步成型。

公开(公告)号：CN114525423A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202210081020.0

申请日：2022-01-24

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 刘晓君 ,  刘丽华 ,  张伟 ,  刘培珠 ,  李阳

IPC: C22C1/04 ,  C22C30/00 ,  B22F3/105

Abstract: 一种第VIII类Eu‑Ga‑Ge笼状化合物的简易制备方法，属于材料制备领域。该方法按照预合成的Eu‑Ga‑Ge笼状化合物的分子式，以高纯单质元素为原料，在Ar气保护下于电弧炉内熔炼(ARC)；然后将所得合金敲碎，于研钵中充分研磨；再根据放电等离子烧结(SPS)系统模具的尺寸和样品的密度，选取适量粉末进行SPS烧结；通过设定合适的烧结温度、压强及保温时间使第I类Eu‑Ga‑Ge变成第VIII类Eu‑Ga‑Ge笼状化合物。本方法的优点在于：SPS烧结简单易操作，可以多维度调节控制条件，通过设定合适温度、压强、保温时间就能获得想要的结果；同时SPS烧结后的样品是规则致密的，便于物性测量。该制备工艺简洁，耗时短，耗能少,一步成型。