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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100357501C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200610011762.7
申请日：2006-04-21
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种聚二甲基二烯丙基氯化铵单链单晶及其制备方法，属于高分子单链单晶技术领域。其特征在于：聚二甲基二烯丙基氯化铵单晶晶体结构为单斜晶系，其晶轴：a＝16.471，b＝10.992，c＝11.597；α＝90°，β＝104.8°，γ＝90°；其中，a、b、c为晶轴，α、β、γ为晶面间夹角。本发明的优点在于首次制备出聚二甲基二烯丙基氯化铵的单链单晶，并分析出其晶体结构。
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公开(公告)号：CN1281633C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200510011348.1
申请日：2005-02-24
Applicant: 北京科技大学
IPC: C08F2/44
Abstract: 本发明提供了一种以蒙脱土为模板制备纳米聚合物的方法。采用蒙脱土MMT的层间作为单体聚合的反应空间，将阴离子粘土蒙脱土的可插层性能应用到模板聚合反应中，先将聚合单体插层组装到蒙脱土MMT层间，再以MMT为模板，使聚合单体在模板内发生聚合反应，然后分离出聚合物。本发明的优点在于：聚合条件易于控制，聚合影响因素少，制备的聚合物具有纳米尺寸特点。该类聚合物在机械、光、电、磁、微处理器件、药物控释、环境保护、隐身材料、高性能涂层材料、纳米反应器及生物化学等方面将具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1807704A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200610011137.2
申请日：2006-01-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: C30B29/58
Abstract: 本发明提供了一种以蒙脱土为模板制备高分子单链单晶的方，属于高分子单链单晶合成的技术领域。采用蒙脱土为模板，将阳离子聚合物单体通过离子交换作用引入到蒙脱土层板中，通过静电作用实现了单体在模板中的规则有序排布。加入引发剂引发聚合后，蒙脱土中得到的聚合物有别于常规聚合反应得到的聚合物，而是结构规整的单晶，然后将其从蒙脱土中释放收集。本发明的优点在于：制备工艺简单，易于操作控制，适用范围广泛。
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公开(公告)号：CN1865540A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610011762.7
申请日：2006-04-21
Applicant: 北京科技大学
IPC: C30B29/58
Abstract: 本发明提供了一种聚二甲基二烯丙基氯化铵单链单晶及其制备方法，属于高分子单链单晶技术领域。其特征在于：聚二甲基二烯丙基氯化铵单晶晶体结构为单斜晶系，其晶轴：a＝16.471，b＝10.992，c＝11.597；α＝90°，β＝104.8°，γ＝90°；其中，a、b、c为晶轴，α、β、γ为晶面间夹角。本发明的优点在于首次制备出聚二甲基二烯丙基氯化铵的单链单晶，并分析出其晶体结构。
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公开(公告)号：CN1663969A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510011348.1
申请日：2005-02-24
Applicant: 北京科技大学
IPC: C08F2/44
Abstract: 本发明提供了一种以蒙脱土为模板制备纳米聚合物的方法。采用蒙脱土MMT的层间作为单体聚合的反应空间，将阴离子粘土蒙脱土的可插层性能应用到模板聚合反应中，先将聚合单体插层组装到蒙脱土MMT层间，再以MMT为模板，使聚合单体在模板内发生聚合反应，然后分离出聚合物。本发明的优点在于：聚合条件易于控制，聚合影响因素少，制备的聚合物具有纳米尺寸特点。该类聚合物在机械、光、电、磁、微处理器件、药物控释、环境保护、隐身材料、高性能涂层材料、纳米反应器及生物化学等方面将具有广阔的应用前景。
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