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发明公开
一种利用液固相分离制备电子封装用高硅铝复合材料的方法无效

公开(公告)号：CN106475545A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201510521926.X

申请日：2015-08-24

Applicant: 北京科大科技园有限公司 , 北京科技大学

Inventor： 刘俊友 , 李艳霞 , 尹衍利 , 黄瑛 , 周洪宇

IPC: B22D17/00 , C22C21/02

Abstract: 本发明公开了一种制备高硅含量(40-70wt.％Si)硅铝复合材料的方法。采用熔铸法制备低硅铝合金坯料，Si含量为20-30wt.％；坯料加热至铝硅二元合金液固两相温度区(共晶温度以上5～30℃)，保温一定时间获得半固态浆料6；浆料6置于带有分离机构5的模具型腔8中，通过压头9施加一定压力，使液相通过分离机构5流入型腔3中，留在型腔8中的剩余富硅相半固态浆料在压力作用下凝固，获得含(40-70wt.％)Si的高硅铝复合材料。该工艺方法流程短、成本低，制备的高硅铝材料具有高致密度、轻质、低膨胀、高导热、良好的力学性能等特点，适用于高性能电子封装壳体制作。

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