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公开(公告)号：CN117723496A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202410138592.7
申请日：2024-01-31
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司
Abstract: 本发明涉及定性检测技术领域，具体而言，涉及一种光致产酸剂中残留酸的检测方法。本发明的光致产酸剂中残留酸的检测方法，包括以下步骤：将芳香内酯类的化合物和溶剂混合，得到标准溶液；采用紫外可见分光光度计测量所述标准溶液以获取标准紫外吸收曲线；再将待检测的光致产酸剂与所述标准溶液混合，得到第一混合体系；采用紫外可见分光光度计测量所述第一混合体系以获得第一紫外吸收曲线；将所述标准紫外吸收曲线和所述第一紫外吸收曲线进行比对，以判断所述光致产酸剂中是否含有残留酸。该方法可以快速、准确地检测出光致产酸剂中是否有残留酸，以及不同批次光致产酸剂中残留酸含量是否相同。
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公开(公告)号：CN113804867B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202111138814.8
申请日：2021-09-27
Applicant: 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: G01N33/44
Abstract: 本申请提供了一种测试光刻胶树脂组分的方法，通过获得光刻胶树脂中保护基团R的结构及分子量，采用凝胶渗透色谱获得光刻胶树脂经衍生化处理前后的重均分子量，并经本申请的公式计算，获得光刻胶树脂中保护基团R的保护率，进而获得光刻胶树脂中各单体的组分；所述方法能够准确获得光刻胶树脂中各单体的组分，为确定光刻胶树脂的性能提供了理论依据，且所述方法具有简便、灵敏度高、分析速度快、准确率高、误差小等优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113419404B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110731453.1
申请日：2021-06-29
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种光刻胶组合物，属于光刻技术领域。光刻胶组合物包括：100重量份化学放大正性光刻胶基体树脂、0.2～30重量份光致产酸剂和0.01～5重量份碱性添加剂。光致产酸剂包括三嗪类化合物，碱性添加剂包括含有氧原子的胺类化合物。本申请将三嗪类光致产酸剂与含有氧原子的胺类化合物配合，能够使得化学放大正性光刻胶的加工窗口DOF显著提升。同时，三嗪类光致产酸剂与含有氧原子的胺类化合物配合还能够改善光刻胶的顶部形貌，降低顶部损失，降低粗糙度。
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公开(公告)号：CN113804867A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111138814.8
申请日：2021-09-27
Applicant: 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: G01N33/44
Abstract: 本申请提供了一种测试光刻胶树脂组分的方法，通过获得光刻胶树脂中保护基团R的结构及分子量，采用凝胶渗透色谱获得光刻胶树脂经衍生化处理前后的重均分子量，并经本申请的公式计算，获得光刻胶树脂中保护基团R的保护率，进而获得光刻胶树脂中各单体的组分；所述方法能够准确获得光刻胶树脂中各单体的组分，为确定光刻胶树脂的性能提供了理论依据，且所述方法具有简便、灵敏度高、分析速度快、准确率高、误差小等优势。
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公开(公告)号：CN113419404A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110731453.1
申请日：2021-06-29
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种光刻胶组合物，属于光刻技术领域。光刻胶组合物包括：100重量份化学放大正性光刻胶基体树脂、0.2～30重量份光致产酸剂和0.01～5重量份碱性添加剂。光致产酸剂包括三嗪类化合物，碱性添加剂包括含有氧原子的胺类化合物。本申请将三嗪类光致产酸剂与含有氧原子的胺类化合物配合，能够使得化学放大正性光刻胶的加工窗口DOF显著提升。同时，三嗪类光致产酸剂与含有氧原子的胺类化合物配合还能够改善光刻胶的顶部形貌，降低顶部损失，降低粗糙度。
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公开(公告)号：CN115639722A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211361864.7
申请日：2022-11-02
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种光刻胶组合物及其用途，其中，光刻胶组合物通过添加含多羟基苯基化合物的添加剂，一方面提高了非曝光区的溶解速率，解决了显影后光刻胶图形表面有残留物的问题，另一方面由于光刻胶组合物的结构上可交联的羟基数目多，曝光区交联密度大，使曝光区与非曝光区，溶解速率差距进一步增大，提高了光刻胶的对比度，从而解决了显影后光刻胶图形的间隔区出现桥接缺陷的问题。将本申请的光刻胶组合物用作深紫外KrF负型光刻胶时，其具有更高的分辨率和更好的工艺窗口。
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公开(公告)号：CN112799280A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011643470.1
申请日：2020-12-31
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: G03F7/022 , G03F7/023 , C07C309/66 , C07C309/65
Abstract: 本申请提供硝基苯甲醇磺酸酯化合物作为增速剂在光刻胶中的应用、用于制备光刻胶的组合物，属于半导体材料技术领域。硝基苯甲醇磺酸酯化合物在受热后会分解产生路易斯质子酸，使其能够作为增速剂添加到酚醛树脂‑重氮奈醌型光刻胶和化学放大光刻胶中，提升光刻胶的感光速度，光刻胶的感光能力提升20％以上。在酚醛树脂‑重氮奈醌型光刻胶中，增速剂能够在胶膜底部释放的相对浓度更高的路易斯质子酸，从而弥补了胶膜底部生成的茚酸不足的缺陷，帮助树脂在胶膜底部快速溶解。在化学放大光刻胶中，增速剂和产酸剂协同作用在曝光区域沿着胶膜厚度纵向方向产生良好的路易斯质子酸环境，从而提升光刻胶感光速度和消除图形不垂直等形貌缺陷。
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