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公开(公告)号：CN108155984B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201711474722.0
申请日：2017-12-29
Applicant: 北京理工大学 , 中山北京理工大学研究院
IPC: H04L9/00
Abstract: 本发明一种基于能量分析的密码算法簇逆向工程分析方法，属于密码学领域和嵌入式安全领域。通过能量分析手段对加密设备中轻量级密码算法簇中的分组长度、轮运算参数、移位参数以及非线性代换操作进行逆向分析。步骤如下：首先，通过数据预处理，采用简单能量分析方法，得出轮运算参数；第二，通过泄露分析，计算出分组长度；第三，对于移位操作位置采用明密文相关性分析，得到移位参数；最后，采用穷举攻击和相关能量分析相结合方法，确定非线性运算操作。本方法可有效地回复加密设备中的密码算法操作参数，对于检测密码设备安全性提出了很好的评估手段。尤其是在信息安全和电子对抗领域，对于密码设备安全性评估和外部秘密信息获取都很有价值。
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公开(公告)号：CN108155984A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711474722.0
申请日：2017-12-29
Applicant: 北京理工大学 , 中山北京理工大学研究院
IPC: H04L9/00
Abstract: 本发明一种基于能量分析的密码算法簇逆向工程分析方法，属于密码学领域和嵌入式安全领域。通过能量分析手段对加密设备中轻量级密码算法簇中的分组长度、轮运算参数、移位参数以及非线性代换操作进行逆向分析。步骤如下：首先，通过数据预处理，采用简单能量分析方法，得出轮运算参数；第二，通过泄露分析，计算出分组长度；第三，对于移位操作位置采用明密文相关性分析，得到移位参数；最后，采用穷举攻击和相关能量分析相结合方法，确定非线性运算操作。本方法可有效地回复加密设备中的密码算法操作参数，对于检测密码设备安全性提出了很好的评估手段。尤其是在信息安全和电子对抗领域，对于密码设备安全性评估和外部秘密信息获取都很有价值。
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公开(公告)号：CN1301348C
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200410062552.1
申请日：2004-07-02
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及复合材料和电子材料，是一种制备莫来石单晶纳米带的简便方法，即：以硅酯或硅溶胶、铝盐和柠檬酸为原料，掺入钨酸盐或钼酸盐作为催化剂，通过水解制备含WO3或MoO3的莫来石成分的溶胶，将溶胶烘干，然后加热即可合成莫来石纳米带，在催化剂范围内提高催化剂的含量可以提高纳米带的厚度。制备的莫来石纳米带为单晶结构，纳米带的形状笔直、表面光滑，可以用于制备陶瓷基、金属基和高分子基的复合增强材料；由于莫来石材料具有很低的热膨胀系数、导热系数和低密度等特性，而且具有很低的介电常数、介电损耗系数以及与氧化铝相比，莫来石与硅的热膨胀系数更为接近等特性，更适合作为微电子、纳电子的封装材料和基板材料，因此，莫来石纳米带将广泛应用于光学及电子领域。此方法合成莫来石纳米带具有工艺简单、控制方便、产率高等优点，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN1587450A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410062552.1
申请日：2004-07-02
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及复合材料和电子材料，是一种制备莫来石单晶纳米带的简便方法，即：以硅酯或硅溶胶、铝盐和柠檬酸为原料，掺入钨酸盐或钼酸盐作为催化剂，通过水解制备含WO3或MoO3的莫来石成分的溶胶，将溶胶烘干，然后加热即可合成莫来石纳米带，在催化剂范围内提高催化剂的含量可以提高纳米带的厚度。制备的莫来石纳米带为单晶结构，纳米带的形状笔直、表面光滑，可以用于制备陶瓷基、金属基和高分子基的复合增强材料；由于莫来石材料具有很低的热膨胀系数、导热系数和低密度等特性，而且具有很低的介电常数、介电损耗系数以及与氧化铝相比，莫来石与硅的热膨胀系数更为接近等特性，更适合作为微电子、纳电子的封装材料和基板材料，因此，莫来石纳米带将广泛应用于光学及电子领域。此方法合成莫来石纳米带具有工艺简单、控制方便、产率高等优点，具有良好的应用前景。
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