公开(公告)号：CN110129732B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201910435478.X

申请日：2019-05-23

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 程兴旺 ,  孙小尧 ,  蒋雯 ,  王梦 ,  徐子祁 ,  谭友德 ,  张洪梅 ,  刘安晋

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C22C30/00 ,  C23C14/02

Abstract: 本发明涉及一种高电阻率高熵合金薄膜及其制备方法，属于多主元合金薄膜材料领域。本发明涉及一种新型高电阻率高熵合金薄膜及其制备方法。新型高熵合金薄膜成分含有六元非等比例的铁、钴、镍、铝、锰、钨元素，原子百分比分别为25％至35％、25％至35％、10％至25％、5％至15％、5％至15％、5％至10％。制备步骤包括超声清洗基片、制备复合靶、真空室抽真空后充氩气、预溅射、加热基片和溅射六部分。所制得的薄膜样品表面光滑，厚度均匀，组织细小，结构为单相BCC固溶体，无相分离或金属间化合物产生。本方法可制备出高硬度高电阻率的新型磁性高熵合金薄膜，厚度为500～2000nm,电阻率最高可达1800μΩ.m左右。

公开(公告)号：CN110129732A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910435478.X

申请日：2019-05-23

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 程兴旺 ,  孙小尧 ,  蒋雯 ,  王梦 ,  徐子祁 ,  谭友德 ,  张洪梅 ,  刘安晋

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C22C30/00 ,  C23C14/02

Abstract: 本发明涉及一种高电阻率高熵合金薄膜及其制备方法，属于多主元合金薄膜材料领域。本发明涉及一种新型高电阻率高熵合金薄膜及其制备方法。新型高熵合金薄膜成分含有六元非等比例的铁、钴、镍、铝、锰、钨元素，原子百分比分别为25％至35％、25％至35％、10％至25％、5％至15％、5％至15％、5％至10％。制备步骤包括超声清洗基片、制备复合靶、真空室抽真空后充氩气、预溅射、加热基片和溅射六部分。所制得的薄膜样品表面光滑，厚度均匀，组织细小，结构为单相BCC固溶体，无相分离或金属间化合物产生。本方法可制备出高硬度高电阻率的新型磁性高熵合金薄膜，厚度为500～2000nm,电阻率最高可达1800μΩ.m左右。