公开(公告)号：CN116752028A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310700004.X

申请日：2023-06-14

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 王扬卫 ,  王海云 ,  李琳琳 ,  韩宝锋 ,  程焕武

IPC: C22C32/00 ,  C22C21/00 ,  B22F1/12 ,  B22F3/10 ,  B22F3/14

Abstract: 本发明涉及铝基复合材料技术领域，尤其涉及一种中、高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法。本发明的制备方法包括对铝合金粉末进行差式扫描量热测试，确定液相含量与温度的关系；将SiC粉体与铝合金粉末混合后，进行半固态真空热压烧结，得到中、高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料；半固态真空热压烧结过程中不添加粘结剂和助烧剂；烧结温度根据所述液相含量与所述半固态真空热压烧结的温度的关系进行确定；所述中、高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料中碳化硅(SiCp)的体积百分含量为30～50％。该方法可以避免粘结剂和助烧剂去除不完全的问题，同时实现高致密度的中、高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备。