公开(公告)号：CN116040571A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202211698055.5

申请日：2022-12-28

Applicant: 北京理工大学 ,  北京理工大学重庆微电子研究院

Inventor： 杨恒张 ,  谢会开 ,  丁英涛 ,  曹英超 ,  严阳阳

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开的一种基于熔断释放装置的双层自卷曲薄膜系统及制作方法，属于MEMS加工制造领域。本发明为熔断电阻释放薄膜结构。支撑层沉积在衬底两个端部；衬底、支撑层、结构层下层薄膜包围形成空腔结构；结构层上层薄膜沉积在结构层下层薄膜上；通过熔断电阻将结构层下层薄膜和金属电极连接。空腔结构通过牺牲层的释放形成。逐步去除支撑层，埋氧层和器件层后形成特有的空腔结构。结构层下层薄膜与结构层上层薄膜共同组成双晶片卷曲薄膜系统。两层薄膜应力相反，结构层下层薄膜为负应力，结构层上层薄膜为正应力，确保结构释放后薄膜向上卷曲。通过调节结构层下层薄膜与结构层上层薄膜应力控制薄膜卷曲形变能力；通过瞬时大电流熔断固定电阻，使薄膜在失去固定约束后产生瞬时回弹，薄膜的自由尖端在回弹中具有较大的冲量，从而使得薄膜卷曲更加致密。

公开(公告)号：CN116364385A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211698049.X

申请日：2022-12-28

Applicant: 北京理工大学 ,  北京理工大学重庆微电子研究院

Inventor： 杨恒张 ,  谢会开 ,  曹英超 ,  丁英涛 ,  严阳阳 ,  单崇书

IPC: H01F17/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01F41/00

Abstract: 本发明涉及一种集成磁芯的自卷曲电感，用于提高磁芯填充的良率以及器件制造良率，属于MEMS加工制造领域。本发明的目的是为了优化3D自卷曲功率电感制造工艺，提高磁芯填充良率及器件制造速率，且实现器件全流程制造工艺与MEMS工艺相互兼容，提供一种集成磁芯的自卷曲电感。自卷曲电感包含衬底、磁芯、结构层下层薄膜、结构层上层薄膜、金属走线。其中，结构层下层薄膜，结构层上层薄膜和金属走线自下而上顺序堆叠于衬底上。磁芯沉积在结构层上层薄膜端部。该方案具有磁芯大小形貌可控、与MEMS工艺和IC工艺兼容、低成本、可量产等优势。

公开(公告)号：CN116124286A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211621634.X

申请日：2022-12-16

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 丁心宇 ,  谢会开 ,  陈超 ,  曹英超 ,  潘腾 ,  杨恒张

IPC: G01J3/02 ,  B81B3/00 ,  G01J3/28

Abstract: 本发明公开的一种基于MEMS可动微平台的光谱检测装置及其加工方法，属于光谱分析技术领域。本发明包括超表面、MEMS可动微平台、光阑、单点探测器和信号处理系统。超表面、MEMS可动微平台、光阑、单点探测器均位于入射光光轴上。超表面用于对入射光进行分光并汇聚，超表面由特征尺寸小于光谱仪工作波段的微结构构成。超表面所在平面与入射光光轴方向垂直。所述超表面用于对入射光进行聚焦，并根据波长不同，在光轴方向上不同位置产生相应焦点。本发明采用超表面作为色散元件，显著压缩色散元器件的体积；通过将超表面集成于MEMS可动微平台上，配合单点探测器即能够实现光谱信息的动态检测，无需昂贵的阵列探测器，显著降低光谱检测装置成本。