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公开(公告)号：CN108046209A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711113162.6
申请日：2017-11-13
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种以SU‑8胶为回流焊阻焊层的MEMS元件低温封装方法，属于微制造加工领域。方法为：(1)准备玻璃晶圆片；(2)在玻璃晶圆片上溅射Cr/Cu种子层；(3)涂覆AZP4620光刻胶并进行曝光；(4)电镀Cu生成焊接圆盘；(5)去除光刻胶及种子层；(6)在玻璃晶圆片上固定丝状或带状敏感元件；(7)涂覆SU‑8胶、光刻后作为回流焊阻焊层；(8)在SU‑8阻焊层处填充低温锡膏(例如锡铋合金锡膏)；(9)放入回流焊炉，进行回流焊加工，完成丝状、带状MEMS元件的封装。本发明克服了丝状、带状MEMS敏感元件焊接过程中焊接区域难以控制的缺点，通过回流焊工艺实现了丝状、带状元件的封装和小型化。该工艺方法使得传感器具有体积小、集成度高和一致性好等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107608942B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201710803705.0
申请日：2017-09-08
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开的温度和弯矩载荷下聚合物基微带天线变形量的计算方法，属于微带天线技术领域。所述微带天线采用三层结构，包括贴片层、基底和接地板。本发明包括如下步骤：给出微带天线结构满足的三个边界条件，并联立所述的三个边界条件求出常数应变c，弯曲轴tb和弯曲半径r；求取微带天线应变ε；求取温度和弯矩载荷下聚合物基微带天线变形量ΔL；根据求取的温度和弯矩载荷下聚合物基微带天线变形量ΔL，设计满足高温和弯曲共形下符合所需辐射特性的聚合物基微带天线，解决实际工程问题。本发明目的是提供一种温度和弯矩载荷下聚合物基微带天线变形量的计算方法，利用所述的方法能够设计满足高温和弯曲共形下符合所需辐射特性的聚合物基微带天线。
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公开(公告)号：CN108046209B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201711113162.6
申请日：2017-11-13
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种以SU‑8胶为回流焊阻焊层的MEMS元件低温封装方法，属于微制造加工领域。方法为：(1)准备玻璃晶圆片；(2)在玻璃晶圆片上溅射Cr/Cu种子层；(3)涂覆AZP4620光刻胶并进行曝光；(4)电镀Cu生成焊接圆盘；(5)去除光刻胶及种子层；(6)在玻璃晶圆片上固定丝状或带状敏感元件；(7)涂覆SU‑8胶、光刻后作为回流焊阻焊层；(8)在SU‑8阻焊层处填充低温锡膏(例如锡铋合金锡膏)；(9)放入回流焊炉，进行回流焊加工，完成丝状、带状MEMS元件的封装。本发明克服了丝状、带状MEMS敏感元件焊接过程中焊接区域难以控制的缺点，通过回流焊工艺实现了丝状、带状元件的封装和小型化。该工艺方法使得传感器具有体积小、集成度高和一致性好等优点。
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公开(公告)号：CN110334377A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910362888.6
申请日：2019-04-30
Applicant: 北京理工大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种MEMS硅衬底悬浮电感电感值计算方法，该方法的计算步骤如下：首先将悬浮电感线圈分段得到多段直导线，然后将每段直导线看作一系列电偶极子串联，列出每个电偶极子产生的磁感应强度的表达式；其次对单个电偶极子产生的磁感应强度沿导线长度进行积分后得到各段导线产生的磁感应强度，对各段导线产生的磁感应强度进行叠加，得到电感线圈包围面积内各处的磁感应强度；再积分计算电感线圈包围面积内的磁链，得到电感线圈的外电感值；最后根据矩形截面导线的内电感值公式计算电感线圈的内电感值，将内外电感值相加得到悬浮电感线圈的电感值。本发明能够计算多种不同结构尺寸、不同悬浮高度电感的电感值。
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公开(公告)号：CN107741576A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710825386.3
申请日：2017-09-14
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01R33/06
CPC classification number: G01R33/063
Abstract: 本发明涉及一种微型非晶丝GMI磁传感器及其加工方法，属于磁传感器领域。采用MEMS技术将非晶丝与微结构线圈集成，加工步骤为：(1)在Si衬底上溅射一层Cr/Cu种子层；(2)涂胶、曝光、显影，电镀铜形成底层导线；(3)去胶；(4)将非晶丝固定到Cr/Cu种子层上；(5)在非晶丝两端电镀Cu；(6)涂胶、曝光、显影，电镀铜形成微电感柱子；(7)涂胶、曝光、显影，电镀铜形成顶层导线；(11)去上层光刻胶，刻蚀种子层。(12)去下层光刻胶，刻蚀种子层。本发明克服了传统工艺制造的非晶丝GMI磁传感器体积大、阻抗一致性差的缺点，实现了以非晶丝为敏感元件的GMI磁传感器的微型化。
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公开(公告)号：CN107608942A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710803705.0
申请日：2017-09-08
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开的温度和弯矩载荷下聚合物基微带天线变形量的计算方法，属于微带天线技术领域。所述微带天线采用三层结构，包括贴片层、基底和接地板。本发明包括如下步骤：给出微带天线结构满足的三个边界条件，并联立所述的三个边界条件求出常数应变c，弯曲轴tb和弯曲半径r；求取微带天线应变ε；求取温度和弯矩载荷下聚合物基微带天线变形量ΔL；根据求取的温度和弯矩载荷下聚合物基微带天线变形量ΔL，设计满足高温和弯曲共形下符合所需辐射特性的聚合物基微带天线，解决实际工程问题。本发明目的是提供一种温度和弯矩载荷下聚合物基微带天线变形量的计算方法，利用所述的方法能够设计满足高温和弯曲共形下符合所需辐射特性的聚合物基微带天线。
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