公开(公告)号：CN115996582A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202310168443.0

申请日：2023-02-27

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 杨盛谊 ,  张珍衡

IPC: H10K30/30 ,  H10K30/60 ,  H10K85/50 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40

Abstract: 本发明涉及一种二价锡(II)基钙钛矿混合体异质结薄膜、制备方法及光电探测器，属于无毒无机钙钛矿材料、光电探测器材料和器件技术领域。所述混合体异质结薄膜由稳定性优良的FA1‑xCsxSnBr3锡基钙钛矿材料和PVK混合而成，x的取值范围为0.05～0.2，FA1‑xCsxSnBr3和PVK的摩尔比为200:1～600:1。通过锡基钙钛矿材料FA1‑xCsxSnBr3与PVK混合，并通过优化其掺杂的摩尔比，最终得到了有利于光生载流子产生和传输的体异质结薄膜。PVK的引入不仅可以有效钝化FA1‑xCsxSnBr3薄膜表面的缺陷，还可进一步阻止水和氧气对锡(II)基钙钛矿FA1‑xCsxSnBr3的侵蚀。将本发明所述的混合体异质结薄膜作为锡基钙钛矿光电探测器的有源层制备的光电探测器具有优异的性能。

公开(公告)号：CN116209284A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310151176.6

申请日：2023-02-22

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 杨盛谊 ,  孙飞扬 ,  张珍衡

IPC: H10K30/15 ,  H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K71/40 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种量子点异质结自驱动红外光电探测器及其制备方法，从上至下分别有金属顶电极、窄带隙半导体量子点有源层、载流子传输层以及金属底电极，所述载流子传输层为添加金属(如Ag、Au和Al等)纳米颗粒的氧化锌纳米胶体薄膜层，所述窄带隙半导体量子点有源层为PbSe量子点薄膜层。本发明还公开了这种自驱动红外光电探测器的制备方法。这种在载流子传输层(如ZnO等)中插入金属(如Ag、Au和Al等)纳米颗粒层的结构可以形成一层类似一层载流子(如电子)的“存贮”层，能降低BbSe/ZnO异质结界面处的空穴注入势垒，促进空穴对界面的隧穿从而提升器件的光电流，显著提高了自驱动光电探测器的性能。