-
公开(公告)号:CN101388261A
公开(公告)日:2009-03-18
申请号:CN200810105929.5
申请日:2008-05-07
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种薄膜电解质及其制备方法,是通过磁控溅射法制备具有NASICON结构的锂薄膜电解质,其具有较高的离子电导率、良好的化学稳定性、较宽的电化学稳定窗口、优良的机械性能及宽的应用温度范围。通过掺杂元素种类及比例的变化,得到不同性能的薄膜电解质,并通过溅射过程中氮气的引入,进一步改善了薄膜的性能。该薄膜电解质在薄膜锂电池、薄膜超级电容器、电致色变器件、传感器或其他新型电化学器件领域有广阔的应用前景。