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公开(公告)号：CN117913540B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410044289.0
申请日：2024-01-12
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明属于微波器件以及天线技术领域，具体涉及一种基于反向场追踪的透镜天线及其台阶厚度的设计方法，该透镜天线包括金属辐射薄膜、介质基底以及带台阶透镜，金属辐射薄膜生长在介质基底的一端，带台阶透镜装在介质基底的另一端；本方法通过设置平面远场激励来确定高斯束腰的位置，从而确定透镜天线的带台阶透镜及其台阶的尺寸，并根据后续片上天线的需求继续优化带台阶透镜的尺寸；它可以实现，增加透镜天线设计的自由度，同时使得仿真过程的中间结果可视化效果更好，并且还能显著降低设计透镜天线所需的计算量，可以在绝大多数电磁仿真软件内就完成透镜天线的设计，使反向场追踪法具有更好的通用性。
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公开(公告)号：CN117938090A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410044549.4
申请日：2024-01-12
Applicant: 北京理工大学
IPC: H03D7/14
Abstract: 本发明属于太赫兹混频器领域，具体涉及一种准光学太赫兹肖特基谐波混频器的设计方法，具体如下。首先，利用电磁场设计和仿真工具进行全波仿真分析，得到肖特基二极管相关三维结构的四端口S参数；然后，将得到的四端口S参数矩阵导入原理图，利用设计和仿真工具对阻抗调节网络的两段CPW(共面波导)线进行协同优化，消除肖特基二极管的寄生效应；然后，利用计算机仿真技术设计天线和混频电路，以及阻抗匹配网络和滤波网络，并将天线的输入阻抗优化为步骤2中匹配最佳的阻抗值。本发明能够实现天线和肖特基二极管的阻抗匹配，实现了太赫兹天线在两个频段的最大功率传输，并弥补了准光学太赫兹肖特基混频器设计方法的空缺。
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公开(公告)号：CN117913540A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410044289.0
申请日：2024-01-12
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明属于微波器件以及天线技术领域，具体涉及一种基于反向场追踪的透镜天线及其台阶厚度的设计方法，该透镜天线包括金属辐射薄膜、介质基底以及带台阶透镜，金属辐射薄膜生长在介质基底的一端，带台阶透镜装在介质基底的另一端；本方法通过设置平面远场激励来确定高斯束腰的位置，从而确定透镜天线的带台阶透镜及其台阶的尺寸，并根据后续片上天线的需求继续优化带台阶透镜的尺寸；它可以实现，增加透镜天线设计的自由度，同时使得仿真过程的中间结果可视化效果更好，并且还能显著降低设计透镜天线所需的计算量，可以在绝大多数电磁仿真软件内就完成透镜天线的设计，使反向场追踪法具有更好的通用性。
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