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公开(公告)号:CN105866168B
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201610176997.5
申请日:2016-03-25
Applicant: 北京环境特性研究所
Abstract: 本发明公开了一种涂层下基体材料的鉴别方法,包括:利用光脉冲对涂敷涂层的第一目标进行激励,通过红外热像仪采集红外热像图序列;针对第一目标任一点,获取该点的温度‑时间数据,进而获取该点的对数降温曲线;计算对数降温曲线的斜率,进而计算该点的分离特征值;获取第一目标每一点的分离特征值;进而得到第一目标表面灰阶图;获得多个目标中每一目标的表面灰阶图;根据表面灰阶图鉴别多个目标的基体材料;本发明能够通过分析不同基体与涂层对数降温曲线的分离程度,实现涂层下基体材料的检测和识别。
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公开(公告)号:CN104407015A
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201410638601.5
申请日:2014-11-06
Applicant: 北京环境特性研究所
IPC: G01N25/72
Abstract: 本发明公开了一种管状工件的红外检测装置和方法。其中的装置包括:冷水箱、热水箱、水管、第一电磁阀、第二电磁阀、水泵和热像仪;冷水箱的一端通过水管和第一电磁阀分别与热水箱的一端和待测管状工件的一端相连,其另一端通过水管和第二电磁阀分别与热水箱的另一端和待测管状工件的另一端相连;第一电磁阀和第二电磁阀控制冷水路和热水路的周期性切换;水泵设置在待测管状工件与第一电磁阀或第二电磁阀之间的水管上,用于驱动水管中的水流沿水管流动;热像仪,用于实时采集待测管状工件的表面温场的变化数据。通过使用本发明所提供的装置和方法,可以有效地检测深层缺陷;而且更进一步的,还可以一次性完成对管状工件的360°检测。
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公开(公告)号:CN104407015B
公开(公告)日:2016-09-21
申请号:CN201410638601.5
申请日:2014-11-06
Applicant: 北京环境特性研究所
IPC: G01N25/72
Abstract: 本发明公开了一种管状工件的红外检测装置和方法。其中的装置包括:冷水箱、热水箱、水管、第一电磁阀、第二电磁阀、水泵和热像仪;冷水箱的一端通过水管和第一电磁阀分别与热水箱的一端和待测管状工件的一端相连,其另一端通过水管和第二电磁阀分别与热水箱的另一端和待测管状工件的另一端相连;第一电磁阀和第二电磁阀控制冷水路和热水路的周期性切换;水泵设置在待测管状工件与第一电磁阀或第二电磁阀之间的水管上,用于驱动水管中的水流沿水管流动;热像仪,用于实时采集待测管状工件的表面温场的变化数据。通过使用本发明所提供的装置和方法,可以有效地检测深层缺陷;而且更进一步的,还可以一次性完成对管状工件的360°检测。
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公开(公告)号:CN104833656A
公开(公告)日:2015-08-12
申请号:CN201510219835.0
申请日:2015-04-30
Applicant: 北京环境特性研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于积分球的可同时获取材料镜反射率、漫反射率以及全反射率的测量方法,该方法可以快速、方便准确地获取材料的镜反射率和漫反射率以及全反射率,采用该方法进行反射率测量时,需要在传统的积分球装置上增加一个光阱设计,然后分别在打开和关闭光阱时进行测量,进行数据处理得到材料的镜反射率和漫反射率以及全反射率。
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公开(公告)号:CN105866168A
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201610176997.5
申请日:2016-03-25
Applicant: 北京环境特性研究所
CPC classification number: G01N25/20 , G01J5/00 , G01J2005/0077
Abstract: 本发明公开了一种涂层下基体材料的鉴别方法,包括:利用光脉冲对涂敷涂层的第一目标进行激励,通过红外热像仪采集红外热像图序列;针对第一目标任一点,获取该点的温度?时间数据,进而获取该点的对数降温曲线;计算对数降温曲线的斜率,进而计算该点的分离特征值;获取第一目标每一点的分离特征值;进而得到第一目标表面灰阶图;获得多个目标中每一目标的表面灰阶图;根据表面灰阶图鉴别多个目标的基体材料;本发明能够通过分析不同基体与涂层对数降温曲线的分离程度,实现涂层下基体材料的检测和识别。
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公开(公告)号:CN104237133A
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201410458190.1
申请日:2014-09-10
Applicant: 北京环境特性研究所
IPC: G01N21/17
Abstract: 本发明公开了一种尖锥阵列面黑体的法向发射率的确定方法和装置,所述方法包括:确定出面黑体的尖锥阵列中的四面尖锥的锥角角度、以及四面尖锥的表面的发射率;根据确定出的锥角角度,计算沿面黑体的法向入射到尖锥阵列内的光线在尖锥阵列内的反射次数;根据确定出的发射率以及计算出的反射次数计算尖锥阵列对光线的入射能量的吸收率,将计算出的吸收率作为面黑体的法向发射率的估算值。从而,本发明基于四面尖锥的锥角角度和四面尖锥的表面的发射率,估算出尖锥阵列面黑体的法向发射率;本发明的方法用于尖锥阵列面黑体设计优化时可缩短设计优化周期,并降低尖锥阵列面黑体设计和开发的人力、物力成本。
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