公开(公告)号：CN107732396B

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201710908746.6

申请日：2017-09-29

Applicant: 北京无线电测量研究所

Inventor： 王遇伯

IPC: H01P5/16

Abstract: 本发明涉及一种基于基片集成波导的功分器，该功分器包括：该第一端口、第二端口、第三端口、多个隔离电阻；第一端口为公共端口，第二端口和第三端口为分端口；所述功分器采用基片集成波导结构，包括上层金属面、中间介质板和下层金属面，中间介质板位于上层金属面和下层金属面之间；第一端口与第二端口、第三端口之间分别设置一由多个金属过孔组成的基片集成波导；在第二端口和第三端口之间设置一由多个金属过孔组成的环形基片集成波导；第二端口和第三端口之间的功分器外部连接有多个隔离电阻。通过上述的功分器，使得毫米波段功分器承载功率提高，损耗变小，并且大大地降低了成本，同时采用这样的结构其重量变轻。

公开(公告)号：CN112737521A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202011445557.8

申请日：2020-12-11

Applicant: 北京无线电测量研究所

Inventor： 王遇伯

IPC: H03F1/32 ,  H03F1/30 ,  H03F1/26 ,  G01D21/02 ,  G01S7/35 ,  G01S7/03

Abstract: 本发明公开了一种基于GaN功率放大器的功率放大电路，包括，低压差线性稳压电路、电流监测电路、GaN功率放大电路和温度监测电路；所述低压差线性稳压电路接收第一输入电压，输出降压电压信号；所述电流监测电路接收所述降压电压信号和第二输入电压，并通过第二输出端将所述降压电压信号输出至所述GaN功率放大电路的漏极，监测所述GaN功率放大电路的漏极电流变化，当所述GaN功率放大电路的漏极电流大于预定值时，所述电流监测电路的第三输出端的输出电平从高电平转换为低电平；所述温度监测电路的第三输入端接收第三输入电压；所述GaN功率放大电路的漏极接收所述降压电压信号，第三输入端接收射频信号，所述射频信号经过放大后由第四输出端输出。

公开(公告)号：CN107732396A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710908746.6

申请日：2017-09-29

Applicant: 北京无线电测量研究所

Inventor： 王遇伯

IPC: H01P5/16

CPC classification number: H01P5/16

Abstract: 本发明涉及一种基于基片集成波导的功分器，该功分器包括：该第一端口、第二端口、第三端口、多个隔离电阻；第一端口为公共端口，第二端口和第三端口为分端口；所述功分器采用基片集成波导结构，包括上层金属面、中间介质板和下层金属面，中间介质板位于上层金属面和下层金属面之间；第一端口与第二端口、第三端口之间分别设置一由多个金属过孔组成的基片集成波导；在第二端口和第三端口之间设置一由多个金属过孔组成的环形基片集成波导；第二端口和第三端口之间的功分器外部连接有多个隔离电阻。通过上述的功分器，使得毫米波段功分器承载功率提高，损耗变小，并且大大地降低了成本，同时采用这样的结构其重量变轻。

公开(公告)号：CN112737521B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202011445557.8

申请日：2020-12-11

Applicant: 北京无线电测量研究所

Inventor： 王遇伯

IPC: H03F1/32 ,  H03F1/30 ,  H03F1/26 ,  G01D21/02 ,  G01S7/35 ,  G01S7/03

Abstract: 本发明公开了一种基于GaN功率放大器的功率放大电路，包括，低压差线性稳压电路、电流监测电路、GaN功率放大电路和温度监测电路；所述低压差线性稳压电路接收第一输入电压，输出降压电压信号；所述电流监测电路接收所述降压电压信号和第二输入电压，并通过第二输出端将所述降压电压信号输出至所述GaN功率放大电路的漏极，监测所述GaN功率放大电路的漏极电流变化，当所述GaN功率放大电路的漏极电流大于预定值时，所述电流监测电路的第三输出端的输出电平从高电平转换为低电平；所述温度监测电路的第三输入端接收第三输入电压；所述GaN功率放大电路的漏极接收所述降压电压信号，第三输入端接收射频信号，所述射频信号经过放大后由第四输出端输出。

公开(公告)号：CN106299645A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610701675.8

申请日：2016-08-22

Applicant: 北京无线电测量研究所

Inventor： 王遇伯

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/22

CPC classification number: H01Q1/38 ,  H01Q1/2283

Abstract: 本发明涉及雷达技术领域，特别涉及一种基于硅工艺的片上天线，包括介质谐振块、金属贴片、二氧化硅层、金属地和硅基底层，所述金属地覆盖在硅基底层上，二氧化硅层覆盖在金属地上，二氧化硅层上表面上设有金属贴片，所述金属贴片的末段是圆形金属片，所述介质谐振块设置在所述二氧化硅层的上方且覆盖所述圆形金属片至少三分之二面积。本发明的片上天线损耗小、辐射率高、辐射形式多样、增益大、片上集成可能性高。