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公开(公告)号：CN101284681B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200710065340.2
申请日：2007-04-11
Applicant: 北京当升材料科技有限公司
Abstract: 本发明涉及超大粒径和高密度钴酸锂粉体材料及其制备方法。将钴化合物、锂化合物，或同时与少量掺杂元素化合物混合，经950～1100℃高温烧结3～30小时，形成块体烧结产物，再经过破粉碎和分级后得到钴酸锂粉体材料(分子式是LiaCo1-bMbO2)。其中，b≠0时含有掺杂元素的钴酸锂的中位径为≥15μm，振实密度为≥2.5g/cm3；b＝0时未含掺杂元素的钴酸锂的中位径为>20μm，振实密度为≥2.6g/cm3。以本发明材料作为正极活性物质的锂离子电池的3.6V平台容量率为≥75％，在150℃热箱内的热冲击测试中60分钟不泄漏、不起火、不爆炸，电池中材料的1C5A比容量≥135mAh/g。
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公开(公告)号：CN1629076A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200310121805.3
申请日：2003-12-18
Applicant: 北京当升材料科技有限公司
Inventor： 白厚善
IPC: C01G51/04
Abstract: 本发明属于制备电子工业用氧化钴领域，特别涉及掺杂于制作避雷器、热敏电阻、压敏电阻、显像管玻壳等电子元件材料的氧化钴粉末及其制备方法。本发明方法的特点是采用硝酸溶解金属钴得到的硝酸钴溶液，控制一定的速度向碳酸氢铵中加入，利用反应自生热加速溶解，溶解速度短，目标溶液残酸含量极低，溶解过程稳定可控；经过沉淀、过滤、洗涤、焙烧等工序制造出亚微米级氧化钴粉末，其颗粒d50＝0.1～1μm，颗粒分布均匀。此方法不仅工艺简单，而且所制得的产品是电子元件的优质掺杂材料，对电子元件的性能提高明显。
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公开(公告)号：CN1556043A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN200310123900.7
申请日：2003-12-31
Applicant: 北京当升材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钴酸锂材料的制备方法，解决了现有工艺中造粒必需使用有机溶剂，导致程序复杂污染环境的问题。包括：将碳酸锂317.35～379.83四氧化三钴681.30～808.30二氧化锆1.9均匀混合；用压钵机将上述混合料进行压实，压实密度0.8～2.0g/cm3，再将压实混合料装入匣钵；将窑炉通电并调节窑炉高温区温度至900度后，将装钵后的上述匣钵摞好放在外推板架的推板上，进行一次烧结16～22小时；对一次烧结后的混合料进行粉碎；将上述粉碎后的混合料压实后，进行二次烧结16～22小时；然后进行粉碎，筛分，产出料粒度D50＝3～15um。本工艺安全环保，不仅解决了反应物之间的接触问题，而且提高了单位体积的装载量，从而提高了生产效率，同时操作简便。采用二次烧结工序，使反应物料氧化更充分，晶体生长更完善。
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公开(公告)号：CN1623909A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200310117052.9
申请日：2003-12-05
Applicant: 北京当升材料科技有限公司
IPC: C01G51/04
Abstract: 本发明属于高能电源材料的技术领域，特别涉及锂电池级氧化钴粉及其制备方法。将氯化钴溶液或硝酸钴溶液与碳酸氢铵溶液反应得到碳酸钴；碳酸钴经400～600℃煅烧后，再在800～1000℃两段式烧结，或者在500～1000℃一段式烧结生成四氧化三钴；再进行粉碎分级，最后得到锂电池级氧化钴。产品中粒径3～6微米、粒度分布D102～4μm、D90＜10μm；松装密度0.7～1.3g/cm3；钴含量72.5～74wt％，主晶物相为α－Co3O4，亚钴含量＜5％，振实密度2.5～3.5g/cm3；铁含量＜0.01％。本发明的产品粒度分布可控，密度可控，颗粒抗混磨强度高，更适合用于合成锂离子电池正极材料。
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公开(公告)号：CN1556063A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN200310123836.2
申请日：2003-12-31
Applicant: 北京当升材料科技有限公司
Abstract: 现有技术中粉体物料的装载方法通常采用将干粉混合料压块、造粒。在造粒、压块前需将粉体物料与有机溶剂或有机粘合剂，以便使压块、造粒能够快速干燥，这增加了液、固混合程序，有机物的使用带来安全的隐患，存在回收或环保问题，因而增加了流程的长度和难度。本发明的粉体物料的装载方法，采用将物料装入模具进行压实，翻转模具，除去模具底，然后将匣钵扣在模具上，翻转后将匣钵送入烧结窑炉。该方案无需造料，更不需要有机溶剂，安全、环保，操作简便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1264758C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200310121805.3
申请日：2003-12-18
Applicant: 北京当升材料科技有限公司
Inventor： 白厚善
IPC: C01G51/04
Abstract: 本发明属于制备电子工业用氧化钴领域，特别涉及掺杂于制作避雷器、热敏电阻、压敏电阻、显像管玻壳等电子元件材料的氧化钴粉末及其制备方法。本发明方法的特点是采用硝酸溶解金属钴得到的硝酸钴溶液，控制一定的速度向碳酸氢铵中加入，利用反应自生热加速溶解，溶解速度短，目标溶液残酸含量极低，溶解过程稳定可控；经过沉淀、过滤、洗涤、焙烧等工序制造出亚微米级氧化钴粉末，其颗粒d50＝0.1～1μm，颗粒分布均匀。此方法不仅工艺简单，而且所制得的产品是电子元件的优质掺杂材料，对电子元件的性能提高明显。
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公开(公告)号：CN1264757C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200310117052.9
申请日：2003-12-05
Applicant: 北京当升材料科技有限公司
IPC: C01G51/04
Abstract: 本发明属于高能电源材料的技术领域，特别涉及锂电池级氧化钴粉及其制备方法。将氯化钴溶液或硝酸钴溶液与碳酸氢铵溶液反应得到碳酸钴；碳酸钴经400～600℃煅烧后，再在800～1000℃两段式烧结，或者在500～1000℃一段式烧结生成四氧化三钴；再进行粉碎分级，最后得到锂电池级氧化钴。产品中粒径3～6微米、粒度分布D102～4μm、D90＜10μm；松装密度0.7～1.3g/cm3；钴含量72.5～74wt%，主晶物相为α-Co3O4，亚钴含量＜5%，振实密度2.5～3.5g/cm3；铁含量＜0.01%。本发明的产品粒度分布可控，密度可控，颗粒抗混磨强度高，更适合用于合成锂离子电池正极材料。
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公开(公告)号：CN1264756C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200310123900.7
申请日：2003-12-31
Applicant: 北京当升材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钴酸锂材料的制备方法，解决了现有工艺中造粒必需使用有机溶剂，导致程序复杂污染环境的问题。包括：将碳酸锂317.35～379.83四氧化三钴681.30～808.30二氧化锆1.9均匀混合；用压钵机将上述混合料进行压实，压实密度0.8～2.0g/cm3，再将压实混合料装入匣钵；将窑炉通电并调节窑炉高温区温度至900度后，将装钵后的上述匣钵摞好放在外推板架的推板上，进行一次烧结16～22小时；对一次烧结后的混合料进行粉碎；将上述粉碎后的混合料压实后，进行二次烧结16～22小时；然后进行粉碎，筛分，产出料粒度D50＝3～15um。本工艺安全环保，不仅解决了反应物之间的接触问题，而且提高了单位体积的装载量，从而提高了生产效率，同时操作简便。采用二次烧结工序，使反应物料氧化更充分，晶体生长更完善。
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公开(公告)号：CN101284681A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200710065340.2
申请日：2007-04-11
Applicant: 北京当升材料科技有限公司
Abstract: 本发明涉及超大粒径和高密度钴酸锂粉体材料及其制备方法。将钴化合物、锂化合物，或同时与少量掺杂元素化合物混合，经950～1100℃高温烧结3～30小时，形成块体烧结产物，再经过破粉碎和分级后得到钴酸锂粉体材料(分子式是LiaCo1－bMbO2)。其中，b≠0时含有掺杂元素的钴酸锂的中位径为≥15μm，振实密度为≥2.5g/cm3；b＝0时未含掺杂元素的钴酸锂的中位径为＞20μm，振实密度为≥2.6g/cm3。以本发明材料作为正极活性物质的锂离子电池的3.6V平台容量率为≥75％，在150℃热箱内的热冲击测试中60分钟不泄漏、不起火、不爆炸，电池中材料的1C5A比容量≥135mAh/g。
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公开(公告)号：CN1277750C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200310121804.9
申请日：2003-12-18
Applicant: 北京当升材料科技有限公司
Inventor： 白厚善
IPC: C01G29/00
Abstract: 本发明属于电子工业用氧化铋领域，特别涉及掺杂于制备压敏电阻、陶瓷电容、介电陶瓷、敏感元器件、热敏电阻、避雷器、显像管玻壳等电子元件用材料的高纯氧化铋超细微粉及其制备方法。将含Bi3+100～350g/L的硝酸铋溶液加入到浓度为10～25wt%的碳酸氢铵溶液中，控制加入的铵铋重量比在1.5～3.5范围，在常温和搅拌情况下，生成碱式碳酸铋沉淀；过滤洗涤；滤饼在100～700℃下进行热处理，得到氧化铋产品。在方法中可进一步加入是碳酸氢铵溶液重量0.1～5%的分散剂。本发明方法新颖、简洁；通过调节加料速度和合成时间，可以根据市场需要生产d50＝1～100μm粒度可调的高纯氧化铋粉体。
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