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发明公开
测定碳化硅高温比热容的方法及用于该方法的坩埚组件审中-实审

公开(公告)号：CN118883610A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410902917.4

申请日：2024-07-05

Applicant: 北京市科学技术研究院分析测试研究所(北京市理化分析测试中心)

Inventor： 陈宇迪 , 邹涛 , 赵瑾 , 刘卫卫 , 和莉颖 , 卿克兰

IPC: G01N25/00

Abstract: 本发明涉及一种测定碳化硅高温比热容的方法及用于该方法的坩埚组件。该坩埚组件包括开口向上设置的外层坩埚、坩埚盖、坩埚内衬和坩埚盖内衬，所述坩埚内衬和坩埚盖内衬的材料为石墨烯薄膜。该测定碳化硅高温比热容的方法包括如下步骤：将坩埚组件置于热分析仪的样品端和参比端，进行热分析获得DSC基线；分别将碳化硅和蓝宝石标样置于热分析仪中进行热分析获得碳化硅DSC曲线和蓝宝石标样的DSC曲线，根据DSC曲线进行对比计算获得碳化硅的比热容值。本发明采用石墨烯薄膜作为坩埚内衬，隔绝了碳化硅复合材料和铂铑坩埚的直接接触，防止它们之间发生反应，实现了碳化硅复合材料的高温比热容测试。

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