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公开(公告)号：CN105527461B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201610029398.0
申请日：2016-01-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01Q30/04
Abstract: 本发明提供一种基于透射电镜HAADF图像的材料结构定量化分析方法。通过图像处理技术获取透射电镜高分辨图像中各原子点阵的坐标位置，得到各原子的积分强度及其邻域归一化强度，并充分结合HAADF成像原理与强度信息的关系，而在HAADF图像定性研究的基础上获得一些定量化的信息。通过原子点阵坐标，归一化强度等数据可分析出多种的定量化结构信息。在本方法中，原子点阵坐标的确定与强度积分科学合理；而邻域归一化强度的应用避免了材料(尤其是多晶纳米材料)中存在的较大范围内的结构波动和缺陷带来的影响；且能快速的对结构信息进行统计分析，避免了人为测量的巨大工作量及误差。该方法具有结果准确、适用范围广、可操作性强等特点。
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公开(公告)号：CN105428532A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510962145.4
申请日：2015-12-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: Dy-Ge-Sb-Te和Dy-Sb-Te相变存储材料属于微电子领域。本发明通过对Ge-Sb-Te或Sb-Te相变材料掺杂Dy元素，提出一种提高Ge-Sb-Te和Sb-Te相变性能的技术和薄膜制备方法，其化学结构式为Dy100-x-y-z(GexSbyTez)，其中0≤x，80
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109975348A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910172947.3
申请日：2019-03-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明实施例提供一种原位热电性能测试装置、制备方法及系统，在包括中空结构的基底上依次设有器件层和功能层，功能层和器件层中设有贯穿功能层和器件层并与中空结构连通的长槽；功能层的上表面位于长槽的两侧分别设有对称的第一加热电阻和第二加热电阻，能对样品的两端分别进行独立的温度控制；器件层中，第一加热电阻下方设有第一方形微孔，在第二加热电阻下方设有第二方形微孔，使得加热高温能聚集在装置的中空加热区域，降低装置功率；通过测量样品两端的电势差和样品的电阻率，可获取样品的塞贝克系数以及电导率随温度的变化情况，将样品的微纳米结构与测得的热电性能参数变化对应，可获取样品的微纳米结构与热电性能参数变化的直接关系。
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公开(公告)号：CN105527461A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610029398.0
申请日：2016-01-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01Q30/04
CPC classification number: G01Q30/04
Abstract: 本发明提供一种基于透射电镜HAADF图像的材料结构定量化分析方法。通过图像处理技术获取透射电镜高分辨图像中各原子点阵的坐标位置，得到各原子的积分强度及其邻域归一化强度，并充分结合HAADF成像原理与强度信息的关系，而在HAADF图像定性研究的基础上获得一些定量化的信息。通过原子点阵坐标，归一化强度等数据可分析出多种的定量化结构信息。在本方法中，原子点阵坐标的确定与强度积分科学合理；而邻域归一化强度的应用避免了材料(尤其是多晶纳米材料)中存在的较大范围内的结构波动和缺陷带来的影响；且能快速的对结构信息进行统计分析，避免了人为测量的巨大工作量及误差。该方法具有结果准确、适用范围广、可操作性强等特点。
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公开(公告)号：CN109975348B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201910172947.3
申请日：2019-03-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明实施例提供一种原位热电性能测试装置、制备方法及系统，在包括中空结构的基底上依次设有器件层和功能层，功能层和器件层中设有贯穿功能层和器件层并与中空结构连通的长槽；功能层的上表面位于长槽的两侧分别设有对称的第一加热电阻和第二加热电阻，能对样品的两端分别进行独立的温度控制；器件层中，第一加热电阻下方设有第一方形微孔，在第二加热电阻下方设有第二方形微孔，使得加热高温能聚集在装置的中空加热区域，降低装置功率；通过测量样品两端的电势差和样品的电阻率，可获取样品的塞贝克系数以及电导率随温度的变化情况，将样品的微纳米结构与测得的热电性能参数变化对应，可获取样品的微纳米结构与热电性能参数变化的直接关系。
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公开(公告)号：CN105428531A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510959334.6
申请日：2015-12-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: Gd-Ge-Sb-Te和Gd-Sb-Te相变存储材料属于微电子领域。本发明通过对Ge-Sb-Te或Sb-Te相变材料掺杂Gd元素，提出一种提高Ge-Sb-Te和Sb-Te相变性能的技术和薄膜制备方法，其化学结构式为Gd100-x-y-z(GexSbyTez)，其中0≤x，80
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公开(公告)号：CN209961713U
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201920289524.5
申请日：2019-03-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型实施例提供一种原位热电性能测试装置及系统，在包括中空结构的基底上依次设有器件层和功能层，功能层和器件层中设有贯穿功能层和器件层并与中空结构连通的长槽；功能层的上表面位于长槽的两侧分别设有对称的第一加热电阻和第二加热电阻，能对样品的两端分别进行独立的温度控制；器件层中，第一加热电阻下方设有第一方形微孔，在第二加热电阻下方设有第二方形微孔，使得加热高温能聚集在装置的中空加热区域，降低装置功率；通过测量样品两端的电势差和样品的电阻率，可获取样品的塞贝克系数以及电导率随温度的变化情况，将样品的微纳米结构与测得的热电性能参数变化对应，可获取样品的微纳米结构与热电性能参数变化的直接关系。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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