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公开(公告)号：CN102344254A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110185736.7
申请日：2011-07-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明涉及一种纳米结构的氢氧化钴薄膜的制备方法，属于纳米材料领域。该制备方法通过在钴盐溶液中加入配位剂氢氟酸生成[CoFx](x-2)-后，加入氨水，提供钴离子水解沉淀需要的OH-，调节溶液的pH值在8.5～9.3，插入预先处理好的基片，并于50～80℃的水浴中加热2～4小时后。取出覆有薄膜的基片经洗涤，自然干燥，即可得到纳米结构的Co(OH)2薄膜。本发明工艺简单，高效快速，反应条件易于控制；且可以通过调节反应溶液中钴盐浓度、F与Co原子比、体系的pH值、加热温度、反应时间等过程参数，来控制薄膜的微观结构。
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