公开(公告)号：CN105870780A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610235021.0

申请日：2016-04-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  潘冠中 ,  蒋国庆 ,  荀孟 ,  解意洋

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/405 ,  H01S5/34313

Abstract: 本发明公开了一种能够实现光束二维操控的同相耦合VCSEL阵列，传统的机械控制方法限制了VCSEL阵列光束偏转的速度。本发明采用氢离子多次注入方式，并结合淀积表面纳米Au电流扩展层形成新型电极，其顶部P型金属电极设置在出光孔外围周向位置，表面纳米Au电流扩展层均匀布置在P型接触层上的出光孔表面，出光孔与出光孔之间无表面纳米Au电流扩展层，从而形成电隔离区域，使注入到阵列单元的电流不会互相影响，通过调节注入到各单元内的电流，使阵列各个出光单元的相位连续可调，实现阵列单元间高的同相耦合度和较大的二维光束角度调节，实现光束二维方向的连续调节，即使在角度偏转的过程中，也能保持较大的同相耦合效率。

公开(公告)号：CN105655867B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201610232363.7

申请日：2016-04-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  潘冠中 ,  荀孟 ,  蒋国庆 ,  解意洋

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/42

Abstract: 本发明公开了一种用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极，能够解决大规模VCSEL阵列电流扩展不均匀的问题，同时还能解决传统的单条网格电极存在的同相模式吸收的问题，使阵列获得高功率同相输出。用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极包括外部边框大电极、内部双条网格电极；本发明采用多次质子注入方式制备VCSEL阵列，通过合理设计阵列单元间距和新型双条网格电极，可以解决单条网格电极存在的模式吸收问题，在保证同相激光输出的同时，可以获得高功率输出，大大提高了阵列的光束质量，可以应用于自由空间光互联、激光雷达、激光打印、光纤通信、光泵浦等领域。

公开(公告)号：CN105655867A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610232363.7

申请日：2016-04-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  潘冠中 ,  荀孟 ,  蒋国庆 ,  解意洋

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/42

CPC classification number: H01S5/0425 ,  H01S5/423

Abstract: 本发明公开了一种用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极，能够解决大规模VCSEL阵列电流扩展不均匀的问题，同时还能解决传统的单条网格电极存在的同相模式吸收的问题，使阵列获得高功率同相输出。用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极包括外部边框大电极、内部双条网格电极；本发明采用多次质子注入方式制备VCSEL阵列，通过合理设计阵列单元间距和新型双条网格电极，可以解决单条网格电极存在的模式吸收问题，在保证同相激光输出的同时，可以获得高功率输出，大大提高了阵列的光束质量，可以应用于自由空间光互联、激光雷达、激光打印、光纤通信、光泵浦等领域。