公开(公告)号：CN100374231C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200610067164.1

申请日：2006-04-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 聂祚仁 ,  席晓丽 ,  蒋亚宝 ,  童培云 ,  左铁镛

IPC: B22F9/26

Abstract: 本发明属于粉末冶金技术领域。冷冻干燥技术制备纳米钴粉的研究，至今国内外还没有相关报道。本发明包括以下步骤：将草酸钴[CoC2O4·2H2O]晶体粉末溶于氨水中，得澄清的钴氨络合物溶液；使用通用氮气喷枪，将上述澄清溶液分散在液氮中预冻；将上述液氮中预冻后的冻结物置于冻干机中进行真空干燥得到前驱体；对上述干燥后的前驱体实行氢气还原，氢气流量为0.1立方米/小时～0.3立方米/小时，200℃～400℃还原，保温2小时～8小时得到纳米钴粉。采用本发明工艺简单，对设备要求低，原料便宜易得，还原温度比通常的工业法的还原温度低300℃左右，大大降低了能耗。制备出的钴粉分散性好、粒度分布窄、形貌均匀，且不需要添加表面活性剂，避免了杂质元素的引入。

公开(公告)号：CN1824438A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610067164.1

申请日：2006-04-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 聂祚仁 ,  席晓丽 ,  蒋亚宝 ,  童培云 ,  左铁镛

IPC: B22F9/26

Abstract: 本发明属于粉末冶金技术领域。冷冻干燥技术制备纳米钴粉的研究，至今国内外还没有相关报道。本发明包括以下步骤：将草酸钴[CoC2O4·2H2O]晶体粉末溶于氨水中，得澄清的钴氨络合物溶液；使用通用氮气喷枪，将上述澄清溶液分散在液氮中预冻；将上述液氮中预冻后的冻结物置于冻干机中进行真空干燥得到前驱体；对上述干燥后的前驱体实行氢气还原，氢气流量为0.1立方米/小时～0.3立方米/小时，200℃～400℃还原，保温2小时～8小时得到纳米钴粉。采用本发明工艺简单，对设备要求低，原料便宜易得，还原温度比通常的工业法的还原温度低300℃左右，大大降低了能耗。制备出的钴粉分散性好、粒度分布窄、形貌均匀，且不需要添加表面活性剂，避免了杂质元素的引入。