公开(公告)号：CN102718474A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201210210682.X

申请日：2012-06-20

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  谢群锋 ,  胡州 ,  严辉 ,  宋雪梅 ,  王波 ,  王如志 ,  侯育冬 ,  朱满康 ,  汪浩

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 一种具有室温多铁性钬、铬共掺铁酸铋陶瓷及其制备方法，属于电子陶瓷材料领域。此陶瓷的化学分子式为：Bi1-xHoxFe1-yCryO3，其中0＜x≤0.15，0＜y≤0.1。将原料Ho2O3、Bi2O3、Cr2O3和Fe2O3，按照计量比进行混合、球磨，得到的浆料烘干然后在750~830℃煅烧2h；对粉末再次球磨，烘干后加入聚乙烯醇水溶液，利用压片机在100-150MPa压力下压成片状；将片状物质在550℃下排胶4h，最后在800~870℃下烧结成瓷。该多铁陶瓷在室温下具有优异的铁电特性及铁磁特性。

公开(公告)号：CN202994914U

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201220525004.8

申请日：2012-10-12

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  胡州 ,  李廷先 ,  谢群峰 ,  严辉 ,  宋雪梅 ,  王如志 ,  王波 ,  侯育冬 ,  朱满康 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: G01R31/00 ,  G01R19/00 ,  G01R25/00

Abstract: 一种用于薄膜的可变温、磁场可控的动态磁电效应测试装置，属于动态磁电效应测试装置。静磁场产生装置、亥姆霍兹线圈、功率输出设备、交流信号源、锁相放大器、薄膜温度控制器及放置样品的控温装置，静磁场产生装置在亥姆霍兹螺线管内的静磁场与亥姆霍兹螺线管自身产生的磁场平行；亥姆霍兹线圈与功率输出设备相连，功率输出设备与交流信号源相连，交流信号源与锁相放大器相连，放置样品的控温装置置于亥姆霍兹线圈内，放置样品的控温装置与锁相放大器相连。可对薄膜nV到μV量级的变温、变频小磁电电压信号进行测量。