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公开(公告)号：CN107621599B
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201710749794.5
申请日：2017-08-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种测量IGBT在高温反偏试验中结温变化的方法，利用IGBT在高温反偏试验中的漏电流与温度的对应关系，对实验中的器件结温进行实时监控的方法。且IGBT漏电流以器件内部MOS部分漏电流为主，在高温反偏试验前需先绘制校温曲线：栅极接地或栅极‑发射极短接，对器件集电极‑发射极加短脉冲电压，在不产生自升温的条件下得到器件漏电流与结温的对应关系，绘制校温曲线图。在高温反偏试验中实时测量器件的漏电流，将漏电流值与校温曲线作比对，可以直接读出器件的结温。
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公开(公告)号：CN107576422A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710751053.0
申请日：2017-08-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种在线测量双极型晶体管器件结温的方法；属于微电子技术中的半导体器件测量技术领域。将待测器件放入温箱当中，调节温箱温度至任意温度值并保持稳定，此时可认为结温等于温箱设定温度。对晶体管施加恒定的加电条件，测量出该条件下的结电压值V；单一变量法改变加电条件并继续测量结电压值。在小电流条件下直接施加持续电流，利用理论模型直接推导出大电流情况下校温曲线。对实验数据进行整理，通过理论模型计算出公式中的关键参数，列表方便后续实验人员应用。在测量时只需根据加电条件在表中找到相应参数，直接测量出结两端电压值V，带入公式即可得出该状态下温度。
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公开(公告)号：CN107621600A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710751988.9
申请日：2017-08-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种利用GaN基HEMT器件反向栅源电流在线测量结温的方法，属于电子器件测试领域。将被测HEMT器件1固定在恒温平台上。然后利用半导体器件分析仪，设置相关参数，测量不同栅源电压Vgs、漏源电压Vds下，的反向栅源电流Igs，再改变恒温平台的温度，测出不同温度下HEMT器件1在不同栅源电压Vgs、漏源电压Vds下的反向栅源电流Igs。最后根据所测数据，绘制HEMT器件在固定漏源电压Vds、栅源电压Vgs下，反向栅源电流Igs随温度的变化关系曲线，建立校温曲线库；根据实际条件选择相应的校温曲线，根据此校温曲线，即可获得HEMT器件在高温反偏条件下的结温。本发明无需破坏器件封装即可测得结温。同时，解决了使用红外热像法或显微激光喇曼法测量温度分辨率偏低的问题。
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公开(公告)号：CN107621599A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710749794.5
申请日：2017-08-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种测量IGBT在高温反偏试验中结温变化的方法，利用IGBT在高温反偏试验中的漏电流与温度的对应关系，对实验中的器件结温进行实时监控的方法。且IGBT漏电流以器件内部MOS部分漏电流为主，在高温反偏试验前需先绘制校温曲线：栅极接地或栅极-发射极短接，对器件集电极-发射极加短脉冲电压，在不产生自升温的条件下得到器件漏电流与结温的对应关系，绘制校温曲线图。在高温反偏试验中实时测量器件的漏电流，将漏电流值与校温曲线作比对，可以直接读出器件的结温。
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公开(公告)号：CN108267678A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201710750858.3
申请日：2017-08-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种二极管结温在线测量校温曲线的建立方法，属于半导体器件的测量技术领域。将待测器件放入温箱当中，调节温箱温度至任意温度值并保持稳定，此时结温等于温箱的设定温度。为二极管施加一个恒定的小电流I，测量出该条件下的电压值V。因为通入的电流I很小，所以采用连续电信号不会造成温升。通过理论模型对实验数据进行整理，计算出小电流条件下的关键参数，将不随电流大小改变的参数重新代入理论模型，利用理论模型推导出大电流状态下的电流电压与温度的对应关系，并绘制校温曲线。本发明通过小电流条件下的实验结论建立大电流状态下的校温曲线库，在工程上提高了效率，拥有广泛的应用前景。
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