公开(公告)号：CN119188990A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411231565.0

申请日：2024-09-04

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 常贺强 ,  宋晓艳 ,  胡强 ,  王玉丽 ,  侯超 ,  吕皓 ,  刘雪梅 ,  王海滨

IPC: B28B11/24 ,  B28B17/02 ,  B28B1/14 ,  C04B35/56 ,  C04B35/645

Abstract: 一种近全致密难熔金属碳化物高熵陶瓷的高通量制备方法属于粉末冶金领域。本发明包括：系列难熔金属碳化物高熵陶瓷原料的均匀混合；系列不同成分混合原料的层叠处理；高压烧结得到多成分系列难熔金属碳化物高熵陶瓷致密块材。本发明结合原料层状堆叠和高压烧结策略，利用不参与反应的隔离膜分离不同成分的样品，在烧结过程提供多个沿重力方向分布的连续、局部烧结条件一致的独立烧结空间，结合高压烧结降低难熔金属碳化物高熵陶瓷近全致密(致密度≥98％)所需烧结温度，克服制备难熔金属碳化物高熵陶瓷温度高、致密度低、多种成分制备效率低的问题，对可形成单相固溶体的难熔金属碳化物高熵陶瓷组元的快速筛选及性能数据的批量获取有重要意义。