公开(公告)号：CN112921402A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202110058758.0

申请日：2021-01-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李强 ,  边慧征 ,  王晨旭 ,  雷訇 ,  惠勇凌 ,  朱占达

IPC: C30B33/06 ,  C30B29/42 ,  H01S3/109 ,  B24B1/00

Abstract: 本发明公开了一种提高CO2激光器倍频效率的方法，采用增加单层晶片厚度的方式，增加至300μm以上量级，晶片之间的厚度误差可控制在0.5λ＝0.3μm、平面度峰谷值为0.056λ、均方根值为0.009λ。抛光后的晶体按照相邻晶片极化方向反转180°进行堆叠，经过真空环境下高温加压热键合过程，使晶片牢固的结合在一起。本发明具有实质性特点和显著进步，相对目前采用的CO2激光器倍频方式，本发明的方式具有以下优势：晶片加工质量和精度提高，厚度误差小、粗糙度和平面度降低；键合层数可达50层以上，热键合后平均单层界面损耗低；通光孔径大，可达20mm；有效提高CO2激光器倍频的输出功率和转化效率。

公开(公告)号：CN112921402B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202110058758.0

申请日：2021-01-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李强 ,  边慧征 ,  王晨旭 ,  雷訇 ,  惠勇凌 ,  朱占达

IPC: C30B33/06 ,  C30B29/42 ,  H01S3/109 ,  B24B1/00

Abstract: 本发明公开了一种提高CO2激光器倍频效率的方法，采用增加单层晶片厚度的方式，增加至300μm以上量级，晶片之间的厚度误差可控制在0.5λ＝0.3μm、平面度峰谷值为0.056λ、均方根值为0.009λ。抛光后的晶体按照相邻晶片极化方向反转180°进行堆叠，经过真空环境下高温加压热键合过程，使晶片牢固的结合在一起。本发明具有实质性特点和显著进步，相对目前采用的CO2激光器倍频方式，本发明的方式具有以下优势：晶片加工质量和精度提高，厚度误差小、粗糙度和平面度降低；键合层数可达50层以上，热键合后平均单层界面损耗低；通光孔径大，可达20mm；有效提高CO2激光器倍频的输出功率和转化效率。