公开(公告)号：CN101459194B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200910076299.8

申请日：2009-01-09

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  王宪谋 ,  严辉 ,  宋雪梅 ,  王波 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  王如志 ,  汪浩

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/04 ,  H01L21/363 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54

Abstract: 钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锡异质p-n结及其制备方法属于材料制造领域。目前还没有镧锰氧化物与氧化锡复合的p-n结。本发明所提供的p-n结包括有单晶衬底、沉积在单晶衬底上的厚度为100-300nm的SnO2层和沉积在SnO2层上的厚度为100-300nm的LSMO层。本发明通过采用磁控溅射法依次在沉底上沉积SnO2层和LSMO层，制得钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锡异质p-n结。本发明所提供的p-n结具有优异的整流特性，且成本低廉，适合工业化生产。

公开(公告)号：CN101459194A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200910076299.8

申请日：2009-01-09

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  王宪谋 ,  严辉 ,  宋雪梅 ,  王波 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  王如志 ,  汪浩

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/04 ,  H01L21/363 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54

Abstract: 钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锡异质p－n结及其制备方法明属于材料制造领域。目前还没有镧锰氧化物与氧化锡复合的p－n结。本发明所提供的p－n结包括有单晶衬底、沉积在单晶衬底上的厚度为100－300nm的SnO2层和沉积在SnO2层上的厚度为100－300nm的LSMO层。本发明通过采用磁控溅射法依次在沉底上沉积SnO2层和LSMO层，制得钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锡异质p－n结。本发明所提供的p－n结具有优异的整流特性，且成本低廉，适合工业化生产。