公开(公告)号：CN115321584B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202210859639.X

申请日：2022-07-21

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 蒋毅坚 ,  潘永漫 ,  闫胤洲 ,  王强

IPC: C01G15/00

Abstract: 一种制备β‑Ga2O3微米带的方法涉及半导体材料和光学技术领域。其以Ga2O3粉末和石墨粉为原料；球磨烘干、200目过筛；装入长条橡胶气球，压实封闭、抽真空，等静压下制成粗细、密度均匀的圆柱形料棒；将圆柱形料棒放入光学浮区炉中，设置浮区炉卤钨灯输出功率为720W/h，通入氧气，光照一定时间，经过光学气化过饱和析出的生长过程，制备β‑Ga2O3微米带，该微米带尺寸较大，形貌完整，可有效构建光电器件。加快了氧化镓的一维微纳结构生长的时间，节约了能源，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN119528206A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411585248.9

申请日：2024-11-07

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 蒋毅坚 ,  贾文静 ,  闫胤洲 ,  潘永漫

IPC: C01G15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种制备β‑Ga2O3纳米结构的方法，涉及半导体材料领域。其以Ga2O3粉末和石墨粉为原料；球磨烘干、在研钵中研磨后200目过筛；装入长条橡胶气球，压实封闭、抽真空，等静压下制成粗细、密度均匀的圆柱形料棒；在管式炉中进行预烧制；将烧制后的圆柱形料棒放入光学浮区炉中，调整浮区炉卤钨灯输出功率，通入氧气，光照后经过光学气化过饱和析出的生长过程，制备出β‑Ga2O3纳米结构。纳米结构中包含纳米丝、纳米带等，该纳米结构尺寸不一，形貌多样。此方法加快了氧化镓纳米结构的生长时间，提高了产率，降低了生产成本。制备出的结构可用于表面增强拉曼散射(SERS)衬底，大的比表面积和丰富的吸附点位使得可实现较强的SERS检测。

公开(公告)号：CN115321584A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210859639.X

申请日：2022-07-21

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 蒋毅坚 ,  潘永漫 ,  闫胤洲 ,  王强

IPC: C01G15/00

Abstract: 一种制备β‑Ga2O3微米带的方法涉及半导体材料和光学技术领域。其以Ga2O3粉末和石墨粉为原料；球磨烘干、200目过筛；装入长条橡胶气球，压实封闭、抽真空，等静压下制成粗细、密度均匀的圆柱形料棒；将圆柱形料棒放入光学浮区炉中，设置浮区炉卤钨灯输出功率为720W/h，通入氧气，光照一定时间，经过光学气化过饱和析出的生长过程，制备β‑Ga2O3微米带，该微米带尺寸较大，形貌完整，可有效构建光电器件。加快了氧化镓的一维微纳结构生长的时间，节约了能源，降低了生产成本。