公开(公告)号：CN105405923A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510729856.7

申请日：2015-10-31

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王如志 ,  林捷 ,  严辉 ,  王波 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  张铭 ,  宋雪梅 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0232 ,  C09K11/78

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  C09K11/7766 ,  H01L31/02322

Abstract: 本发明属于固体发光材料领域，具体涉及同时具有减反与下转换转光的Y2O3:Bi,Yb薄膜制备方法。本发明是旨在减少晶体硅太阳能电池的光电损失，其特征在于将下转换转光机制与晶体硅材料表面减反陷光结构制备两种方式结合，在具有减反陷光结构的硅衬底上制备出Y2O3:Bi,Yb下转换转光薄膜，最终达到同时实现减反与下转换转光的目的。本发明的Y2O3:Bi,Yb薄膜在300-1100nm范围内具有较低的平均反射率，最低可至2.94％，同时，具有强的近红外光发射，其发射主峰位于800-1100nm能与硅的禁带宽度完美相匹配，可有效提高晶体硅太阳能电池对太阳光的利用，制备工艺十分简单，成本低廉，为实现大规模的工业生产提供了可能。