公开(公告)号：CN1887797A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200610088995.7

申请日：2006-07-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李永利 ,  张久兴 ,  李瑞霞

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/586 ,  C04B35/622

Abstract: 一种快速制备高强度氮化硅－氮化硼可加工陶瓷的方法，属于结构陶瓷制备技术领域。纳米BN包覆Si3N4颗粒表面后热压烧结制备Si3N4－BN可加工陶瓷工艺复杂冗长，制备效率低，成本高。本发明的特征在于：烧结添加剂Y2O3－Al2O3与Si3N4、h－BN粉末球磨混合、干燥后，装入模具中，将装有物料的模具置于放电等离子烧结炉中，抽真空以150－250度/分钟的速度升温到1600－1700度，在30－50MPa的压力下烧结3－8分钟后随炉冷却，获得致密的Si3N4－BN复相陶瓷。该方法烧结时间短，烧结温度低，工艺过程简单快速，因而制备成本低；所得到的陶瓷材料同时具有高的弯曲强度和良好的可加工性。

公开(公告)号：CN100432017C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200610088995.7

申请日：2006-07-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李永利 ,  张久兴 ,  李瑞霞

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/586 ,  C04B35/622

Abstract: 一种快速制备高强度氮化硅-氮化硼可加工陶瓷的方法，属于结构陶瓷制备技术领域。纳米BN包覆Si3N4颗粒表面后热压烧结制备Si3N4-BN可加工陶瓷工艺复杂冗长，制备效率低，成本高。本发明的特征在于：烧结添加剂Y2O3-Al2O3与Si3N4、h-BN粉末球磨混合、干燥后，装入模具中，将装有物料的模具置于放电等离子烧结炉中，抽真空以150-250℃/min的速度升温到1600-1700℃，在30-50MPa的压力下烧结3-8分钟后随炉冷却，获得致密的Si3N4-BN复相陶瓷。该方法烧结时间短，烧结温度低，工艺过程简单快速，因而制备成本低；所得到的陶瓷材料同时具有高的弯曲强度和良好的可加工性。