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公开(公告)号：CN119471280A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411611878.9
申请日：2024-11-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种p‑GaN HEMT瞬态阈值电压变化的准确测量方法，该方法可用于电学偏置下p‑GaN HEMT器件阈值电压瞬态变化测量。在栅极电压偏置施加和瞬态阈值电压测试之前，设计并增加了对采样电流引入瞬态电压变化的测试且测试条件与阈值电压瞬态曲线的测试条件保持一致。在瞬态阈值电压曲线实测完成后，将该部分额外引入的因素从实测曲线中剔除。这种方法可以修正采集电流对瞬态阈值电压变化的影响，以获取准确的阈值电压随时间变化量，从而正确评估p‑GaN HEMT器件在电学偏置下阈值电压漂移及陷阱作用情况。
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