公开(公告)号：CN102280331B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201110193383.5

申请日：2011-07-12

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王如志 ,  宋志伟 ,  赵维 ,  严辉 ,  王波 ,  张铭 ,  宋雪梅 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: H01J1/308 ,  H01J29/04 ,  H01J9/02

Abstract: 具有电子发射增强的混合相氮化物薄膜场发射阴极及其制备方法，属于场发射阴极技术领域，该阴极材料为GaN和AlN的混合物，同时具有六方纤锌矿和立方闪锌矿两种晶体结构；组分为：AlxGa1-xN，0＜x≤0.95。制备方法：将衬底及GaN和AlN烧结成的靶材放入激光脉冲沉积系统，抽真空、加热衬底、通入保护气体，用脉冲激光沉积系统制备了铝镓氮纤锌矿六方相和闪锌矿立方相两相共存的纳米薄膜。该薄膜相对单相薄膜场发射开启电压和最大电流密度提高了2-5个数量级。这种两相共存的薄膜有助于提高薄膜场发射性能和场发射显示器的商业化，有着明显的应用前景和潜在的经济效益。

公开(公告)号：CN102280331A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110193383.5

申请日：2011-07-12

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王如志 ,  宋志伟 ,  赵维 ,  严辉 ,  王波 ,  张铭 ,  宋雪梅 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: H01J1/308 ,  H01J29/04 ,  H01J9/02

Abstract: 具有电子发射增强的混合相氮化物薄膜场发射阴极及其制备方法，属于场发射阴极技术领域，该阴极材料为GaN和AlN的混合物，同时具有六方纤锌矿和立方闪锌矿两种晶体结构；组分为：AlxGa1-xN，0＜x≤0.95。制备方法：将衬底及GaN和AlN烧结成的靶材放入激光脉冲沉积系统，抽真空、加热衬底、通入保护气体，用脉冲激光沉积系统制备了铝镓氮纤锌矿六方相和闪锌矿立方相两相共存的纳米薄膜。该薄膜相对单相薄膜场发射开启电压和最大电流密度提高了2-5个数量级。这种两相共存的薄膜有助于提高薄膜场发射性能和场发射显示器的商业化，有着明显的应用前景和潜在的经济效益。