公开(公告)号：CN119877090A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510044096.X

申请日：2025-01-10

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 孟磊 ,  翟天瑞

IPC: C30B25/06 ,  G02F1/03 ,  G02F1/035 ,  G02B6/293 ,  C30B25/18 ,  C30B29/22 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明公开了宽禁带ZnMgO电光薄膜、光学微环谐振器及其制备方法，具有禁带宽度3.97eV的Zn0.67Mg0.33O薄膜沿其c轴方向电光系数rc和r33分别达到8.12±0.25pm/V和5.28±0.16pm/V。该薄膜采用低温(200‑300℃)射频磁控溅射方法制备而成。采用光子大马士革镶嵌工艺制备了c轴择优取向Zn1‑xMgxO条形光波导和Zn1‑xMgxO光学微环谐振器，其工作波长范围为250nm‑2.5μm，涵盖从紫外UVC到近红外的宽波段。谐振波长为1.55μm的Zn0.67Mg0.33O光学微环谐振器TE0模式和TM0模式光传输损耗分别约为2.52dB/cm和2.74dB/cm。本发明所制备的Zn1‑xMgxO(0.33≤x≤0.74)电光薄膜和基于该薄膜的硅上光学微环谐振器，可应用于紫外‑近红外波段电光调制器、光开关和电光频梳等光子器件，在集成光子学、非线性光学和光电融合等领域具有巨大的应用前景。

公开(公告)号：CN117448761A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311234218.9

申请日：2023-09-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 孟磊 ,  翟天瑞

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  G02F1/355

Abstract: 本发明公开了宽禁带高激光损伤阈值二阶非线性光学薄膜及制备方法。该薄膜是具有宽禁带、高激光损伤阈值和高二阶非线性极化率的a轴取向Li掺杂Zn1‑xMgxO[0.3