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公开(公告)号：CN105967740A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610285747.5
申请日：2016-05-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B38/04 , C04B35/515
CPC classification number: C04B38/045 , C04B35/515 , C04B2235/428 , C04B2235/5436
Abstract: 本发明公开了一种激光熔覆与化学脱合金复合制备微纳米结构块体硅材料的方法，其特征是：采用激光熔覆技术在基体上制备铝硅合熔覆层，然后将熔覆层从基体上分离得到前驱体合金材料，最后采用腐蚀剂对熔覆处理得到的前驱体合金材料进行化学脱合金处理，去掉元素铝，最终获得微纳米结构块体硅材料。本发明操作简单，制备周期短，效率高，制备出的微纳米结构块体硅材料的可用于太阳能电池、锂离子电池、生物学等诸多领域。
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公开(公告)号：CN105967740B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201610285747.5
申请日：2016-05-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B33/021 , C04B38/04 , C04B35/515
Abstract: 本发明公开了一种激光熔覆与化学脱合金复合制备微纳米结构块体硅材料的方法，其特征是：采用激光熔覆技术在基体上制备铝硅合熔覆层，然后将熔覆层从基体上分离得到前驱体合金材料，最后采用腐蚀剂对熔覆处理得到的前驱体合金材料进行化学脱合金处理，去掉元素铝，最终获得微纳米结构块体硅材料。本发明操作简单，制备周期短，效率高，制备出的微纳米结构块体硅材料的可用于太阳能电池、锂离子电池、生物学等诸多领域。
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公开(公告)号：CN105789560A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610282672.5
申请日：2016-05-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01M4/134 , H01M4/1395
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/1395
Abstract: 本发明公开了一种采用激光熔覆复合扩散焊和脱合金制备锂离子电池硅负极的方法，其特征是：采用激光熔覆技术制备铝硅合金前驱体，然后通过扩散焊将铝硅合金前驱体与集流体焊接在一起，最后采用腐蚀剂去掉前驱体中的元素铝，最终获得与集流体冶金结合的硅负极。本发明制备的硅负极可有效避免充放电过程中硅材料与集流体的脱落，且操作简单，效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105948058B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201610282682.9
申请日：2016-05-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明公开了一种激光表面重熔与化学脱合金复合制备微纳米结构块体硅材料的方法，其特征是：采用激光对铝硅合金进行表面重熔处理，然后将表面重熔层切割下来，最后采用腐蚀剂对重熔层进行脱合金处理，去掉元素铝，最终获得微纳米结构块体硅材料(图1)。该方法操作简单，周期短，效率高，常温下可进行，制备出的块体硅材料可用于太阳能电池、锂离子电池、生物学等诸多领域。
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公开(公告)号：CN105789560B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201610282672.5
申请日：2016-05-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01M4/134 , H01M4/1395
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/1395
Abstract: 本发明公开了一种采用激光熔覆复合扩散焊和脱合金制备锂离子电池硅负极的方法，其特征是：采用激光熔覆技术制备铝硅合金前驱体，然后通过扩散焊将铝硅合金前驱体与集流体焊接在一起，最后采用腐蚀剂去掉前驱体中的元素铝，最终获得与集流体冶金结合的硅负极。本发明制备的硅负极可有效避免充放电过程中硅材料与集流体的脱落，且操作简单，效率高。
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公开(公告)号：CN105870405A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610282835.X
申请日：2016-05-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01M4/1395
CPC classification number: H01M4/1395
Abstract: 本发明公开了一种采用激光表面重熔技术复合扩散焊和脱合金制备锂离子电池硅负极的方法，其特征是：采用激光表面重熔技术制备铝硅合金前驱体，然后通过扩散焊将铝硅合金前驱体与集流体焊接在一起，最后采用腐蚀剂去掉前驱体中的元素铝，最终获得与集流体冶金结合的硅负极(图1)。本发明制备的硅材料和集流体冶金结合，可有效避免充放电过程中硅材料与集流体脱落，且操作简单，效率高。
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公开(公告)号：CN105870405B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201610282835.X
申请日：2016-05-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01M4/1395
CPC classification number: H01M4/1395
Abstract: 本发明公开了一种采用激光表面重熔技术复合扩散焊和脱合金制备锂离子电池硅负极的方法，其特征是：采用激光表面重熔技术制备铝硅合金前驱体，然后通过扩散焊将铝硅合金前驱体与集流体焊接在一起，最后采用腐蚀剂去掉前驱体中的元素铝，最终获得与集流体冶金结合的硅负极(图1)。本发明制备的硅材料和集流体冶金结合，可有效避免充放电过程中硅材料与集流体脱落，且操作简单，效率高。
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公开(公告)号：CN105948058A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610282682.9
申请日：2016-05-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明公开了一种激光表面重熔与化学脱合金复合制备微纳米结构块体硅材料的方法，其特征是：采用激光对铝硅合金进行表面重熔处理，然后将表面重熔层切割下来，最后采用腐蚀剂对重熔层进行脱合金处理，去掉元素铝，最终获得微纳米结构块体硅材料(图1)。该方法操作简单，周期短，效率高，常温下可进行，制备出的块体硅材料可用于太阳能电池、锂离子电池、生物学等诸多领域。
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