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发明公开
一种利用荧光示踪技术鉴别S型阴极近表面活性物质的方法审中-实审

公开(公告)号：CN118777275A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410814402.9

申请日：2024-06-21

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王金淑 , 李梓辰 , 蔡永丰 , 杨韵斐 , 关怡秋 , 周文元 , 张将 , 刘鹏 , 陈现美

IPC: G01N21/64

Abstract: 一种利用荧光示踪技术鉴别S型阴极近表面活性物质的方法，属于电子发射材料监测领域。通过将荧光探针Eu3+与S型阴极制备技术结合，得到了荧光化S型阴极。荧光化S型阴极在荧光测试中能够明显的反映钨基体和活性物质的分布，通过荧光信号采集实现S型阴极近表面活性物质存在状态的快速无损分析，并可以简便直观的观察活性物质的分布。荧光探针的引入不会引发阴极发射性能的降低，因此可以较为准确的反映阴极的工作情况，为阴极性能进一步优化提供了依据。

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