公开(公告)号：CN104316855B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201410539936.1

申请日：2014-10-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭春生 ,  高立 ,  李世伟 ,  冯士维 ,  任云翔

IPC: G01R31/26 ,  G01J5/10 ,  H04N5/33

Abstract: 一种HEMT器件结温的测试方法，属于电子器件测试领域。其包括HEMT器件(1)、电源(2)、器件夹具(3)、防自激电路(4)、红外热像仪(5)、温度测量计(6)、红外热像仪恒温平台(7)、仿真软件ISE。所述方法基于HEMT器件的器件参数及红外热像仪测量的温度分布结果作为边界条件，建立仿真模型；并利用不同条件下红外热像仪测量的温度分布结果验证、优化模型，保证模型的准确性；根据结温测量的精度需求，利用优化后的模型提取栅极0.05um-2um分辨率HEMT器件的结温。解决了目前红外法及其它方法不能准确测量HEMT器件结温的问题。

公开(公告)号：CN104316855A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410539936.1

申请日：2014-10-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭春生 ,  高立 ,  李世伟 ,  冯士维 ,  任云翔

IPC: G01R31/26 ,  G01J5/10 ,  H04N5/33

Abstract: 一种HEMT器件结温的测试方法，属于电子器件测试领域。其包括HEMT器件(1)、电源(2)、器件夹具(3)、防自激电路(4)、红外热像仪(5)、温度测量计(6)、红外热像仪恒温平台(7)、仿真软件ISE。所述方法基于HEMT器件的器件参数及红外热像仪测量的温度分布结果作为边界条件，建立仿真模型；并利用不同条件下红外热像仪测量的温度分布结果验证、优化模型，保证模型的准确性；根据结温测量的精度需求，利用优化后的模型提取栅极0.05um-2um分辨率HEMT器件的结温。解决了目前红外法及其它方法不能准确测量HEMT器件结温的问题。