公开(公告)号：CN113063760B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110279802.0

申请日：2021-03-16

Applicant: 北京大学长三角光电科学研究院

Inventor： 施可彬 ,  杨燕青 ,  高翔 ,  马睿 ,  杨文凯

IPC: G01N21/64

Abstract: 本发明公开了一种提高空间分辨率的异质外延生长氮化镓位错密度检测方法。本发明首先通过温控系统将被检测样品周围的环境温度调节到合适的点，从而抑制扩散长度变大，进一步获得更高的空间分辨率；其次通过单个量子点成像获得成像系统的点扩展函数，利用二维的点扩散函数得到了频域内的光传递函数，对点扩散函数进行逆滤波处理，对样品位错的采集图像进行解卷积处理得到原始图像，从而消除周围环境影响，获得更为精准的图像；随后，对氮化镓位错的尺寸大小、相对密度进行定量分析；最后，进一步基于温控系统及解卷积技术，利用宽场荧光成像技术、阴极发光技术、三光子荧光显微成像及多光子荧光显微成像观测了更为精确的氮化镓薄膜的位错。

公开(公告)号：CN113063760A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110279802.0

申请日：2021-03-16

Applicant: 北京大学长三角光电科学研究院

Inventor： 施可彬 ,  杨燕青 ,  高翔 ,  马睿 ,  杨文凯

IPC: G01N21/64

Abstract: 本发明公开了一种提高空间分辨率的异质外延生长氮化镓位错密度检测方法。本发明首先通过温控系统将被检测样品周围的环境温度调节到合适的点，从而抑制扩散长度变大，进一步获得更高的空间分辨率；其次通过单个量子点成像获得成像系统的点扩展函数，利用二维的点扩散函数得到了频域内的光传递函数，对点扩散函数进行逆滤波处理，对样品位错的采集图像进行解卷积处理得到原始图像，从而消除周围环境影响，获得更为精准的图像；随后，对氮化镓位错的尺寸大小、相对密度进行定量分析；最后，进一步基于温控系统及解卷积技术，利用宽场荧光成像技术、阴极发光技术、三光子荧光显微成像及多光子荧光显微成像观测了更为精确的氮化镓薄膜的位错。