公开(公告)号：CN112271257B

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202010991589.1

申请日：2020-09-18

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张敏 ,  黄巍宏 ,  焦浩轩 ,  黄秋月 ,  张娇娜

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明涉及一种可拉伸半导体器件的制备方法，包括：在基板上形成基板牺牲层；在基板牺牲层上形成衬底；在衬底上形成第一电极牺牲层；在第一电极牺牲层上形成第一电极；去除第一电极牺牲层；在第一电极上形成介电层；在介电层上形成第二电极牺牲层；在第二电极牺牲层上形成第二电极和第三电极；在第二电极之间形成沟道层；去除第二电极牺牲层。本发明进一步包括另一种可拉伸半导体器件的制备方法。

公开(公告)号：CN112271257A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202010991589.1

申请日：2020-09-18

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张敏 ,  黄巍宏 ,  焦浩轩 ,  黄秋月 ,  张娇娜

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明涉及一种可拉伸半导体器件的制备方法，包括：在基板上形成基板牺牲层；在基板牺牲层上形成衬底；在衬底上形成第一电极牺牲层；在第一电极牺牲层上形成第一电极；去除第一电极牺牲层；在第一电极上形成介电层；在介电层上形成第二电极牺牲层；在第二电极牺牲层上形成第二电极和第三电极；在第二电极之间形成沟道层；去除第二电极牺牲层。本发明进一步包括另一种可拉伸半导体器件的制备方法。