公开(公告)号：CN113774423A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111016347.1

申请日：2021-08-31

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 杨世和 ,  龙霞 ,  蔡荣明

IPC: C25B11/091 ,  C25B9/00 ,  C25B3/07

Abstract: 本发明公开了一种铜基复合纳米材料及其制备方法和应用，该铜基复合纳米材料包括卤素修饰的二维纳米铜氧化物和分散在二维铜氧化物上的铜纳米片，铜纳米片具有高能晶面。根据本申请实施例的铜基复合纳米材料，至少具有如下有益效果：本申请所提供的铜基复合纳米材料中卤素的修饰不仅有助于金属暴露晶面的改性，而且有助于在二维纳米铜氧化物上形成具有高能晶面的纳米片，从而使得最终形成的材料具有丰富活性位点，具有在低电位下产乙酸的高度选择性以及各电位下抑制产氢及提高二氧化碳还原的法拉第效率的效果。

公开(公告)号：CN113774423B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202111016347.1

申请日：2021-08-31

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 杨世和 ,  龙霞 ,  蔡荣明

IPC: C25B11/091 ,  C25B9/00 ,  C25B3/07

Abstract: 本发明公开了一种铜基复合纳米材料及其制备方法和应用，该铜基复合纳米材料包括卤素修饰的二维纳米铜氧化物和分散在二维铜氧化物上的铜纳米片，铜纳米片具有高能晶面。根据本申请实施例的铜基复合纳米材料，至少具有如下有益效果：本申请所提供的铜基复合纳米材料中卤素的修饰不仅有助于金属暴露晶面的改性，而且有助于在二维纳米铜氧化物上形成具有高能晶面的纳米片，从而使得最终形成的材料具有丰富活性位点，具有在低电位下产乙酸的高度选择性以及各电位下抑制产氢及提高二氧化碳还原的法拉第效率的效果。