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公开(公告)号:CN115611853B
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202211187975.0
申请日:2022-09-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C07D333/36 , C07D307/66 , C07D405/14 , C07D409/14 , C07D495/04 , C07D493/04 , C09K11/06 , H10K50/15 , H10K71/12 , H10K85/60
Abstract: 本发明公开了一种空穴传输材料及其制备方法、有机电致发光器件,所述空穴传输材料的结构如下式:#imgabs0#本发明的空穴传输材料通过在不同的基于噻吩和呋喃的芳香母核直接连接二取代芳胺配体构成,含噻吩和呋喃的母核可减小分子电离能,增加分子传输空穴过程的稳定性;其次,含杂环母核直接与氮原子相连,形成较强的电子局域态,大大降低了分子的电子亲合能,使得分子整体的HOMO‑LUMO gap有一个较大的提升,同时具有较高的三线态能级,可以阻挡电子;最后,在噻吩和呋喃环其他位点修饰的取代基和芳胺侧基形成约90°的二面角,通过调节两者空间大小的比例,可以使分子的平面取向和玻璃化转变温度达到较好的平衡,为分子同时提供较高的空穴迁移率和较好的热稳定性。
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公开(公告)号:CN114437115B
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202111636537.3
申请日:2021-12-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C07D517/04 , C09K11/06 , H10K85/60 , H10K50/15
Abstract: 本发明公开一种空穴传输材料及其制备方法与OLED器件。所述空穴传输材料的结构通式如下式(1)所示:其中,X、Y独立地选自O、S、Se或Te,所述X、Y中至少一个选自Se;Ar1、Ar2、Ar3和Ar4独立地选自取代或未取代的C6‑C30的芳基、取代或未取代的C6‑C30的稠环芳基、取代或未取代的C3‑C30的杂芳基、取代或未取代的C3‑C30的稠环杂芳基中的一种;两侧苯环任意位点被取代基取代,所述两侧苯环任意位点的取代基独立地选自氢、氘、烷基链、烷氧基链中的一种。该有机化合物具有合适的HOMO能级,当其被应用到空穴传输层中,使得空穴和电子的注入更加平衡,获得更高的外量子效率。
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公开(公告)号:CN115611853A
公开(公告)日:2023-01-17
申请号:CN202211187975.0
申请日:2022-09-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C07D333/36 , C07D307/66 , C07D405/14 , C07D409/14 , C07D495/04 , C07D493/04 , C09K11/06 , H10K50/15 , H10K71/12 , H10K85/60
Abstract: 本发明公开了一种空穴传输材料及其制备方法、有机电致发光器件,所述空穴传输材料的结构如下式:本发明的空穴传输材料通过在不同的基于噻吩和呋喃的芳香母核直接连接二取代芳胺配体构成,含噻吩和呋喃的母核可减小分子电离能,增加分子传输空穴过程的稳定性;其次,含杂环母核直接与氮原子相连,形成较强的电子局域态,大大降低了分子的电子亲合能,使得分子整体的HOMO‑LUMO gap有一个较大的提升,同时具有较高的三线态能级,可以阻挡电子;最后,在噻吩和呋喃环其他位点修饰的取代基和芳胺侧基形成约90°的二面角,通过调节两者空间大小的比例,可以使分子的平面取向和玻璃化转变温度达到较好的平衡,为分子同时提供较高的空穴迁移率和较好的热稳定性。
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公开(公告)号:CN114437115A
公开(公告)日:2022-05-06
申请号:CN202111636537.3
申请日:2021-12-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C07D517/04 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明公开一种空穴传输材料及其制备方法与OLED器件。所述空穴传输材料的结构通式如下式(1)所示:其中,X、Y独立地选自O、S、Se或Te,所述X、Y中至少一个选自Se;Ar1、Ar2、Ar3和Ar4独立地选自取代或未取代的C6‑C30的芳基、取代或未取代的C6‑C30的稠环芳基、取代或未取代的C3‑C30的杂芳基、取代或未取代的C3‑C30的稠环杂芳基中的一种;两侧苯环任意位点被取代基取代,所述两侧苯环任意位点的取代基独立地选自氢、氘、烷基链、烷氧基链中的一种。该有机化合物具有合适的HOMO能级,当其被应用到空穴传输层中,使得空穴和电子的注入更加平衡,获得更高的外量子效率。
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