一种硫原子稠环的电子受体材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113105477A

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN202010034239.6

    申请日:2020-01-13

    Abstract: 本申请公开一种硫原子稠环的电子受体材料及其制备方法和应用。该受体材料特点如下:(1)利用电子受体—电子给体—电子受体—电子给体—单子受体(A‑D‑A‑D‑A)的分子结构,降由于分子内电子推拉效应,可有效降低化合物的LUMO能级和带隙,有利于电子的注入和传输,并得到具有近红外吸收性能的材料;(2)与经典的母核为碳原子稠环电子受体相比,本发明设计将硫原子引入稠环电子结构,可有效提高稠环母核的π电子共轭程度,并提高分子的平面性,有利于载流子在分子内的传输。该受体材料具有良好的溶解性和成膜性,具有较强的可见光和近红外吸光性能,较高的电子迁移率,可以广泛应用于有机太阳能电池领域。

    氟代醇溶剂在制备钙钛矿光电器件中的应用

    公开(公告)号:CN107768528A

    公开(公告)日:2018-03-06

    申请号:CN201710821429.0

    申请日:2017-09-13

    Abstract: 本发明公开氟代醇溶剂在制备钙钛矿光电器件中的应用,所述氟代醇溶剂作为含氮氮二甲基、吡啶单元以及胺基基团等有机分子的溶剂,配制成有机分子溶液在制备钙钛矿光电器件的空穴传输层和/或电子传输层中的应用。与现有技术相比,本发明所述氟代醇溶剂用于加工制备钙钛矿光电器件具有以下优点:所述氟代醇溶剂是低毒溶剂;所述氟代醇溶剂能够有效地溶解电子和空穴传输材料,其作为溶剂加工电子和空穴传输材料在钙钛矿薄膜表面成膜时不会破坏钙钛矿的晶体结构。

    一种钙钛矿发光器件的制备方法及其添加剂

    公开(公告)号:CN112736211B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN201911032298.3

    申请日:2019-10-28

    Abstract: 本发明涉及钙钛矿光电器件领域,具体公开了所述离子液体及长链烷基溴铵盐作为混合添加剂添加到钙钛矿前驱体溶液进而进行常规的钙钛矿薄膜制备的应用。所述离子液体为甲胺乙酸熔融盐MAAc及其衍生物,所述长链烷基溴铵盐为正丁基溴化铵BABr及其衍生物。与现有技术相比,本发明具有以下优点:MAAc及MATFA离子液体,无色无味无毒,合成工艺简单,且不挥发,是一种安全又低成本但效果显著的钙钛矿添加剂;离子液体与长链烷基溴铵盐混合添加法可以省去在制备有机无机钙钛矿薄膜发光层所必须的反溶剂添加等后处理过程,这使得制备流程被大大简化并减小了有机溶剂所引起的环境污染。

    阴极界面修饰层材料以及钙钛矿太阳能电池

    公开(公告)号:CN111454262B

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN202010202091.2

    申请日:2020-03-20

    Abstract: 本发明公开阴极界面修饰层材料以及钙钛矿太阳能电池。所述阴极界面修饰层材料的结构式如下所示:其中,Ar为其中,n=1、2、3、4,n1=1、2、3、4;其中,R为H、F、Cl、Br、I、CN、NO3、NH3、CH3或OCH3。本发明上述结构的阴极界面修饰材料用于制备倒置结构的钙钛矿太阳能电池中有以下优点:可降低电子传输层粗糙度,有利于阴极对载流子的收集;引入如上所示的阴极界面修饰层,可以提高器件的内建电场,从而有利于器件对电子的收集。由于阴极界面修饰材料具有很好的水醇溶特性,可通过溶液旋涂法将其在不破坏电子传输层的同时旋涂于电子传输层中,操作简单,与卷对卷工艺兼容。

    一种高分子电子受体材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN112142957A

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN201910565910.7

    申请日:2019-06-27

    Abstract: 本申请公开一种有机高分子电子受体材料及其制备方法和应用。该受体材料特点如下:(1)利用电子给体组分与电子受体组分交替偶联形成D‑A聚合物,降低化合物带隙,降低化合物的LUMO能级从而有利于电子的传输;(2)与传统D‑A高分子不同的是本申请中,D‑A组分通过分子内成环反应构筑了一个纵横整个高分子主链的共轭平面,极大地提高了分子平面性,有利于电子在高分子内部和链间的传输;(3)将氮原子引入高分子主链中,氮原子的孤对电子参与共轭可以进一步降低高分子整体带隙,使得聚合物吸收达到近红外区,拓宽受体材料的吸收从而增大光电流。该受体材料易于成膜便于制备,可以提高器件的光热以及形貌稳定性,可以广泛应用于有机太阳能电池领域。

    氟代醇溶剂在制备钙钛矿光电器件中的应用

    公开(公告)号:CN107768528B

    公开(公告)日:2019-10-29

    申请号:CN201710821429.0

    申请日:2017-09-13

    Abstract: 本发明公开氟代醇溶剂在制备钙钛矿光电器件中的应用,所述氟代醇溶剂作为含氮氮二甲基、吡啶单元以及胺基基团等有机分子的溶剂,配制成有机分子溶液在制备钙钛矿光电器件的空穴传输层和/或电子传输层中的应用。与现有技术相比,本发明所述氟代醇溶剂用于加工制备钙钛矿光电器件具有以下优点:所述氟代醇溶剂是低毒溶剂;所述氟代醇溶剂能够有效地溶解电子和空穴传输材料,其作为溶剂加工电子和空穴传输材料在钙钛矿薄膜表面成膜时不会破坏钙钛矿的晶体结构。

    一种钙钛矿薄膜及其制备方法与钙钛矿太阳能电池

    公开(公告)号:CN106784322A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611154129.3

    申请日:2016-12-14

    Inventor: 孟鸿 缪景生 胡钊

    Abstract: 本发明公开一种钙钛矿薄膜及其制备方法与钙钛矿太阳能电池,方法包括步骤:首先将钙钛矿前驱体溶液旋涂到衬底上;其中,所述钙钛矿前驱体溶液选用的溶剂为DMF、DMSO、中的一种或多种;然后旋转旋涂有钙钛矿前驱体溶液的衬底,在钙钛矿前驱体溶液未完全挥发时,停止旋转,放置一定的时间;重新旋转旋涂有钙钛矿前驱体溶液的衬底,然后再滴入反型溶剂,在80~120℃下退火5~15分钟,制成钙钛矿薄膜。本发明在钙钛矿成膜过程中,在钙钛矿前驱体溶液中溶剂尚未完全挥发时,停止旋涂仪的旋转,使其静止一段时间,延长钙钛矿薄膜的成膜时间来增加钙钛矿薄膜的成膜质量,从而提高所制备的钙钛矿太阳能电池的器件性能。

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