公开(公告)号：CN112467040A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011312291.X

申请日：2020-11-20

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 杨世和 ,  郑世昭 ,  林澄

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/46 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明公开了一种滴液刮涂法制备晶体薄膜的方法及制备系统，该方法包括以下步骤：(1)制备或取待处理基板；(2)在所述待处理基板上滴加晶体薄膜的前驱体溶液，同时移动刮刀使得所述前驱体溶液在所述待处理基板上成膜；(3)任选在空气中退火的步骤。本发明的方法结合了刮涂和狭缝涂布的优势，制备过程简单可控，重复性能好，对大面积组件的批量制备稳定性高，适合大规模生产。

公开(公告)号：CN213816197U

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202022699585.4

申请日：2020-11-20

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 杨世和 ,  郑世昭 ,  林澄

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/46 ,  H01L51/42

Abstract: 本实用新型公开了一种实施滴液刮涂法制备晶体薄膜的制备系统，包括：加热台，所述加热台用以放置待处理基板；排枪，所述排枪用以滴加晶体薄膜的前驱体溶液，所述排枪位于所述加热台的上方；刮刀，所述刮刀用以刮涂所述前驱体溶液，所述刮刀位于所述排枪相对于所述待处理基板运动方向的后方。本实用新型实施例的制备系统采用滴加和刮涂结合的方式制备，结合了刮涂和狭缝涂布的优势，制备过程简单可控，重复性能好，对大面积组件的批量制备稳定性高，适合大规模生产。