公开(公告)号：CN102254950A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110194121.0

申请日：2011-07-12

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 姚建可 ,  张盛东

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/242 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明公开了一种Cu2O薄膜晶体管，该Cu2O薄膜晶体管的绝缘层和/或保护层为Cu3N薄膜。Cu3N薄膜是非晶结构且具有良好的绝缘性能。且与Cu2O薄膜相比，Cu3N薄膜结构致密和疏水或氧，用Cu3N薄膜作为Cu2O沟道的保护层，将减少薄膜对环境中的水或氧气的吸收，而改善薄膜晶体管的环境和电致偏应力稳定性。

公开(公告)号：CN102290443A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110213610.6

申请日：2011-07-28

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 姚建可 ,  张盛东

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/22

Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管(Metal oxide thin film transistor，MOTFT)的制备工艺。首先，采用最优O含量的有源层来提高MOTFT的EBS稳定性。其次，采用掺Mg有源层来提高MOTFT的UV光稳定性。最后，采用富In2O3或纯ZnO有源层来提高MOTFT的迁移率。

公开(公告)号：CN102263134A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110206404.2

申请日：2011-07-22

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 姚建可 ,  张盛东

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提出了一种双极性薄膜晶体管(Thin film transistor，TFT)，该晶体管的有源层为SnOx基薄膜。通过本发明实施例提出的双极性薄膜晶体管及其制备方法，因为p-TFT和n-TFT的沟道材料的制备工艺和电性能相近，这将大大减小CMOS电路(用SnO或掺Al的SnO2(ATO)p-TFT和SnO2n-TFT)和AM-OLED显示像素电路(用SnO2n-TFT作为开关TFT、SnO或ATO p-TFT作为驱动TFT)的制备工艺复杂性和提高电路性能，因此有很大的应用前景。

公开(公告)号：CN102254950B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201110194121.0

申请日：2011-07-12

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 姚建可 ,  张盛东

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/242 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明公开了一种Cu2O薄膜晶体管，该Cu2O薄膜晶体管的绝缘层和/或保护层为Cu3N薄膜。Cu3N薄膜是非晶结构且具有良好的绝缘性能。且与Cu2O薄膜相比，Cu3N薄膜结构致密和疏水或氧，用Cu3N薄膜作为Cu2O沟道的保护层，将减少薄膜对环境中的水或氧气的吸收，而改善薄膜晶体管的环境和电致偏应力稳定性。