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公开(公告)号：CN119874781A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411876996.2
申请日：2024-12-19
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种有机半导体材料及其制备方法，有机电致发光器件，所述有机半导体材料由第一化合物和第二化合物共混得到，所述第一化合物的化学式为#imgabs0#所述第二化合物的化学式为#imgabs1#本发明的有机半导体材料中引入了重金属元素铋，利用重元素效应得到了具有更浅LUMO与更深HOMO能级的有机半导体材料，有效增加了有机半导体材料的带隙宽度，使得有机电致发光器件的发光波长明显蓝移；本发明通过引入高迁移率基团与高稳定性基团增强了有机半导体材料的稳定性和迁移率；另外，相比于现有材料，本发明的有机半导体材料具有更高的导电性，更高的电流效率，更高的外量子效率，更低的驱动电压与更长的器件工作寿命。
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