公开(公告)号：CN115602526A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202110768724.0

申请日：2021-07-07

Applicant: 北京大学(CN)

Inventor： 潘宇 ,  徐晓龙 ,  李艳平 ,  叶堉

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/308 ,  H01L21/40

Abstract: 本发明公开了一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法。利用磁控溅射共蒸的方法在基底上沉积一层掺有杂质元素的Mo薄膜，将该掺杂Mo薄膜放入化学气相沉积设备中，通过控制温度和时间生长掺有杂质元素的大面积连续二维半导体碲化钼薄膜。该方法在薄膜沉积过程中可控、稳定地加入杂质元素，从而生长的掺杂半导体碲化钼薄膜可以稳定地调节掺杂浓度，得到具有不同电学特性二维半导体材料薄膜，解决了二维半导体材料应用于单片集成电路的关键问题。该方法还可以通过光刻和刻蚀图形化预沉积不同掺杂类型的Mo薄膜，之后“一步法”生长出提前设计好的图形化掺杂碲化钼薄膜，节省材料和时间成本，并兼容成熟的半导体工艺技术，有大规模应用的潜力。