公开(公告)号：CN109285577B

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201811011787.6

申请日：2018-08-31

Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院

Inventor： 袁晨阳 ,  张亚杰 ,  李若宁 ,  李娜 ,  侯士敏 ,  王永锋

IPC: G11C11/16

Abstract: 本发明涉及一种基于分子自旋态的超低功耗存储器件，该存储器件包括基体、数据存储介质和探针；所述基体为导电基体；所述数据存储介质为自旋态可变有机分子层，自旋态可变分子层中的分子规则排列在导电基体表面；所述探针用于将数据写入数据存储介质和/或读取存储在数据存储介质的数据；所述写入操作包括改变自旋态可变分子层中分子的自旋态，所述读取操作包括检测出自旋态可变分子层中分子的自旋态；所述自旋态可变有机分子为酞菁氯铁分子。本发明通过使用易于实现不同自旋态转变的酞菁氯铁分子作为存储介质，并且在低电压低电流条件下使用横向操纵技术即可容易地控制不同自旋态的转变，实现了器件的超低功耗。

公开(公告)号：CN109285577A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201811011787.6

申请日：2018-08-31

Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院

Inventor： 袁晨阳 ,  李若宁 ,  李娜 ,  侯士敏 ,  王永锋

IPC: G11C11/16

Abstract: 本发明涉及一种基于分子自旋态的超低功耗存储器件，该存储器件包括基体、数据存储介质和探针；所述基体为导电基体；所述数据存储介质为自旋态可变有机分子层，自旋态可变分子层中的分子规则排列在导电基体表面；所述探针用于将数据写入数据存储介质和/或读取存储在数据存储介质的数据；所述写入操作包括改变自旋态可变分子层中分子的自旋态，所述读取操作包括检测出自旋态可变分子层中分子的自旋态；所述自旋态可变有机分子为酞菁氯铁分子。本发明通过使用易于实现不同自旋态转变的酞菁氯铁分子作为存储介质，并且在低电压低电流条件下使用横向操纵技术即可容易地控制不同自旋态的转变，实现了器件的超低功耗。