公开(公告)号：CN108931807B

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201810824461.9

申请日：2018-07-24

Applicant: 北京大学 ,  北京空间飞行器总体设计部

Inventor： 陈鸿飞 ,  郝志华 ,  施伟红 ,  于向前 ,  向宏文 ,  邹鸿 ,  仲维英

IPC: G01T1/18

Abstract: 本发明提供一种探测空间粒子可变采样快门时间的采样方法、系统及设备，所述方法包括：将采样快门时间按照时间片数划分，并于每一个时间片数检测存储器的存储量状态；当在经历第N个时间片数时检测到存储量状态为半满标识状态，采样快门时间为N×k，1≤N≤Nmax，k为单个时间片的长度，Nmax为最大时间片数；当第Nmax个时间片数时检测存储量状态未达到半满标识状态，采样快门时间为Nmax×k；在检测到存储量状态为半满标识状态或达到第Nmax个时间片数时，停止采样，从存储器读取空间粒子信号，根据当前经历的时间片数、最大时间片数、当前经历的时间片数所记录的空间粒子数确定估算总粒子数。本发明能够实现动态调整采样快门时间，提高粒子探测中通量测量的动态范围，提高采样效率。

公开(公告)号：CN108931807A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810824461.9

申请日：2018-07-24

Applicant: 北京大学 ,  北京空间飞行器总体设计部

Inventor： 陈鸿飞 ,  郝志华 ,  施伟红 ,  于向前 ,  向宏文 ,  邹鸿 ,  仲维英

IPC: G01T1/18

Abstract: 本发明提供一种探测空间粒子可变采样快门时间的采样方法、系统及设备，所述方法包括：将采样快门时间按照时间片数划分，并于每一个时间片数检测存储器的存储量状态；当在经历第N个时间片数时检测到存储量状态为半满标识状态，采样快门时间为N×k，1≤N≤Nmax，k为单个时间片的长度，Nmax为最大时间片数；当第Nmax个时间片数时检测存储量状态未达到半满标识状态，采样快门时间为Nmax×k；在检测到存储量状态为半满标识状态或达到第Nmax个时间片数时，停止采样，从存储器读取空间粒子信号，根据当前经历的时间片数、最大时间片数、当前经历的时间片数所记录的空间粒子数确定估算总粒子数。本发明能够实现动态调整采样快门时间，提高粒子探测中通量测量的动态范围，提高采样效率。

公开(公告)号：CN114371432A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202210020679.5

申请日：2022-01-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 于向前 ,  宗秋刚 ,  肖池阶 ,  刘斯 ,  王永福 ,  陈鸿飞 ,  邹鸿 ,  施伟红 ,  周率

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明提供一种用于识别铁磁物体的磁传感器阵列及识别铁磁物体的方法，本发明的磁传感器阵列包括M个磁力计，其中M≥3，当M＝3时，所述磁力计在三维空间中呈三角分布，当M＞3时，所述磁力计在三维空间中呈立体分布。该磁传感器阵列能够有效测量铁磁性物体在传感器阵列中磁力计所在点的磁场，为反演推导铁磁性物体的具体位置提供有效数据。识别铁磁物体的方法获得了表征铁磁性物体的特征的非线性方程组，并且采用本发明的磁传感器阵列中每一个磁力计的输出值求解非线性方程组，获得铁磁性物体的位置及磁矩。该方法能够消除地磁场的影响，测量结果准确可靠，能够准确获得铁磁性物体的位置及磁矩，具有广泛的应用领域。

公开(公告)号：CN111221026B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202010042585.9

申请日：2020-01-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 王永福 ,  宗秋刚 ,  陈鸿飞 ,  王玲华 ,  邹鸿 ,  于向前 ,  施伟红 ,  周率

IPC: G01T1/29

Abstract: 本发明提供一种中性原子成像单元信号分析方法，该方法包括：提供一中性原子成像单元，中性原子成像单元包括半导体探测器阵列以及间隔设置在探测器阵列前方的调制栅格；提供一中性原子源平面，中性原子源平面发出的能量中性原子经调制栅格后由探测器阵列接收，调制栅格在探测器阵列上形成投影；根据投影，获得探测器响应函数；计算中性原子成像单元所获得的数据信号；根据探测器响应函数以及数据信号，对中性原子发射源进行反演成像。该方法能够根据探测器获得的中性原子信息，例如中性原子在不同条带的计数等对中性原子发射源进行很好的反演，从而对中性原子发射源进行成像，获得中性原子发射源的强度和大小等。本发明的上述方法易于执行，反演结果准确。

公开(公告)号：CN113109857A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110312004.3

申请日：2021-03-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 邹鸿 ,  叶雨光 ,  施伟红 ,  宗秋刚 ,  傅绥燕 ,  仲维英 ,  王永福

IPC: G01T1/29

Abstract: 本发明提供一种中能电子探测探头及中能电子探测器，所述中能电子探测探头包括多个小孔成像结构探测单元、放大器板、探头支架，以及多个探头侧盖板。在一可选实施例中，包括四个线阵列小孔成像结构探测单元和一个面阵列小孔成像结构探测单元，四个线阵列小孔成像结构探测单元两两相对设置，形成位于相互垂直的截面上的两组探测单元。由此，四个线阵列和一个面阵列小孔成像结构的探测单元构成十字架型的成像探头，可以覆盖2×180°×60°的张角范围，进而能够实现采用三轴稳定卫星平台的条件下对‘准2π’方向角入射的中能电子的高时间分辨率、角度分辨率测量。

公开(公告)号：CN112051602A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN202011018464.7

申请日：2020-09-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 宗秋刚 ,  王永福 ,  王玲华 ,  邹鸿 ,  陈鸿飞 ,  于向前 ,  施伟红 ,  周率

IPC: G01T3/08

Abstract: 本发明提供一种中性原子成像单元、成像仪、成像方法及空间探测系统，成像单元包括至少一组探测单元，至少一组探测单元包括：至少一个半导体探测器线阵列，每一个半导体探测器线阵列均包括由多个半导体探测器组成的半导体探测器条带；以及至少一个调制栅格。调制栅格包括狭缝以及形成狭缝的栅格实条，调制栅格包括多个栅格周期，每个栅格周期均包括n条狭缝，半导体探测器条带的宽度为d，调制栅格的第i个狭缝的宽度wi满足如下关系：采用栅格成像技术对中性原子进行成像，栅格的狭缝和栅格实条宽度可调，由此可以大大提高中性原子的成像效率，缩短成像所需的时间，提高中性原子成像探测的计数率。

公开(公告)号：CN109613594B

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN201811548420.8

申请日：2018-12-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 宗秋刚 ,  王玲华 ,  邹鸿 ,  王永福 ,  陈鸿飞 ,  施伟红 ,  于向前 ,  周率

IPC: G01T1/24

Abstract: 本发明提供一种中性原子成像单元、成像仪、成像方法及空间探测系统，中性原子成像单元包括至少一组探测单元，至少一组探测单元包括：至少一个半导体探测器线阵列；以及设置在至少一个所述半导体探测器线阵列的前方并且与至少一个所述半导体探测器线阵列一一对应设置的至少一个调制栅格，调制栅格对入射的中性原子进行傅里叶变换；半导体探测器线阵列的方向与所述调制栅格的狭缝方向一致。本发明首次将栅格成像技术应用于中性原子探测及成像领域，大大提高了中性原子的成像效率，缩短了成像所需的时间，提高了中性原子成像探测的计数率。本发明的中性原子成像方法，不会受到空间极紫外/紫外辐射的影响，获得更好的成像效果。

公开(公告)号：CN107831526A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201711065122.9

申请日：2017-11-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 宗秋刚 ,  邹鸿 ,  贾向红 ,  陈鸿飞 ,  邹积清 ,  陈江 ,  施伟红 ,  于向前

IPC: G01T1/36

CPC classification number: G01T1/36

Abstract: 本发明提供一种中能电子探测单元、探测探头及探测器。中能电子探测单元包括屏蔽壳和多个位置灵敏探测器；屏蔽壳的一面开有小孔；位置灵敏探测器面向小孔设置在屏蔽壳内；多个位置灵敏探测器被设置于同一平面上，且位于一条直线上。中能电子探测探头包括探测单元支架和多个中能电子探测单元；多个中能电子探测单元小孔朝外地固定安装在探测单元支架上，且安装在探测单元支架上的多个中能电子探测单元位于同一平面内，且对称轴交于一点；多个中能电子探测单元的探测张角之和为180度。本发明采用了小孔成像技术，实现了同时对多方向入射的50-600keV中能电子的能谱信息的精确测量。

公开(公告)号：CN103323764A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310268800.7

申请日：2013-06-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 邹鸿 ,  邹积清 ,  陈鸿飞 ,  施伟红 ,  于向前 ,  仲维英

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/02

Abstract: 本发明公开了一种硅PIN半导体探测器漏电流检测仪及其检测方法。本发明的漏电流检测仪包括：可调负高压电源模块、探测器偏压测量模块、取样电阻网络及探测器漏电流测量模块；取样电阻网络包括第一、第二和第三电阻R1、R2和R3；R2和R3串联，然后与R1并联；并且设置两组开关，分别测量不同范围的漏电流。本发明对硅PIN半导体探测器的特性进行了针对性设计，具有测量极小漏电流(0.1nA)、大漏电流范围(0.1nA到200μA)、检测击穿电压等功能，另外具有测试环境简单、使用方便、测量准确、成本低廉等特点，非常方便硅PIN半导体探测器的筛选和长期老化测试。

公开(公告)号：CN116106963A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202310114049.9

申请日：2023-02-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 于向前 ,  王游龙 ,  王玲华 ,  陈鸿飞 ,  施伟红 ,  陈傲 ,  王永福 ,  杨芯 ,  宗秋刚 ,  邹鸿

IPC: G01T1/24 ,  G01T7/00

Abstract: 本说明书实施例提供一种粒子辐射探测器读出电路及探测系统，其中，所述读出电路适于与粒子辐射探测器耦接，包括缓冲模块和读出模块，其中：所述缓冲模块，包括多个输出通道，耦接于所述粒子辐射探测器的输出端与所述读出模块之间，适于将所述粒子辐射探测器的输出信号从相应的输出通道传输至所述读出模块；所述读出模块，包括多个读出通道，与所述多个输出通道一一对应耦接，适于基于所述粒子辐射探测器的输出信号输出粒子辐射探测结果。采用上述方案，能够在实现高精度的粒子辐射探测的同时兼顾不同能量范围的粒子辐射探测以及匹配不同电容的粒子辐射探测器。