公开(公告)号：CN106430195A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610898366.4

申请日：2016-10-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 孙俊良 ,  黎建

IPC: C01B32/907 ,  C01B21/082 ,  H01G11/30 ,  H01M4/36

CPC classification number: Y02E60/13 ,  C01B21/0821 ,  C01B21/0828 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/78 ,  C01P2006/40 ,  H01G11/30 ,  H01M4/362

Abstract: 本发明公布了一种MXene材料及其制备方法和应用。通过HF水溶液刻蚀MAX相中的A原子层得到MXene，然后经阳离子水溶液进行离子交换获得阳离子插层的MXene材料，最后煅烧得到阳离子插层且表面修饰的MXene材料，其分子式为Mn+1M’xXnOy，其中M＝Ti、Nb、Ta、V、Mo、Cr和/或Zr；M’＝Li、Na、K、Mg和/或Al；X为C和/或N；n＝1、2或3；0≤x≤1.5，0≤y