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公开(公告)号：CN115362565A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180025955.0
申请日：2021-03-30
Applicant: 北京大学
Inventor： 孙伟 , 赵梦宇
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种在基底上形成纳米结构阵列和场效应晶体管器件的方法。形成纳米结构阵列的方法包括：提供包含纳米结构模板的模板溶液；通过使模板溶液与基底接触，将至少一个纳米结构模板沉积到基底上；以及在基底上形成至少一个固定结构，每个固定结构与至少一个纳米结构模板的全部或部分相交，以将至少一个纳米结构模板的全部或部分固定在基底上。
