公开(公告)号：CN113933266B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202111439492.0

申请日：2021-11-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 吕国伟 ,  蒋洪 ,  张威东 ,  林海 ,  龚旗煌

IPC: G01N21/47 ,  G01N21/41

Abstract: 本发明提供一种传感元件。所述传感元件包括衬底、设于所述衬底上的过渡金属硫族化合物层、至少部分覆盖于所述过渡金属硫族化合物层上的绝缘的介质膜、及部分覆盖于所述介质膜上的金属纳米结构。所述金属纳米结构的表面等离激元模式共振频率与过渡金属硫族化合物层的激子的中心频率相同或相近，所述介质膜的厚度为1nm～100nm。本发明还提供一种应用该传感元件的传感器。本发明应用该传感元件的传感器具有灵敏度高、空间分辨率高、及响应速度快的优点。

公开(公告)号：CN113933266A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111439492.0

申请日：2021-11-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 吕国伟 ,  蒋洪 ,  张威东 ,  林海 ,  龚旗煌

IPC: G01N21/47 ,  G01N21/41

Abstract: 本发明提供一种传感元件。所述传感元件包括衬底、设于所述衬底上的过渡金属硫族化合物层、至少部分覆盖于所述过渡金属硫族化合物层上的绝缘的介质膜、及部分覆盖于所述介质膜上的金属纳米结构。所述金属纳米结构的表面等离激元模式共振频率与过渡金属硫族化合物层的激子的中心频率相同或相近，所述介质膜的厚度为1nm～100nm。本发明还提供一种应用该传感元件的传感器。本发明应用该传感元件的传感器具有灵敏度高、空间分辨率高、及响应速度快的优点。